最後更新:2026年10月23日晶圓拋光、倒角設備

6EZ的特點與規格

Revasum・晶圓拋光、倒角設備

專為 SiC 晶圓研磨從零設計的單片式 CMP 設備。以冷卻技術可處理硬質材料所需的高荷重・高轉速。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

6EZ 是 Revasum 的 SiC 用 CMP 設備。廠商稱其為全球首款專為 SiC 設計的全自動・單片式・乾進/乾出拋光機。可輕鬆變更配置以研磨 150mm 與 200mm 的 SiC 晶圓,也已發表 200mm 用轉換套件。

具備卡匣對卡匣的全自動晶圓傳送與整合式清洗模組,以乾燥狀態進料、以乾燥狀態出料。可在無人員介入下,依序研磨・清洗 50 片 SiC 基板的雙面。

將整片晶圓的 TTV(總厚度變異)降至最小,表面粗糙度 Ra 控制在 1.5Å 左右。廠商表示,與該公司的全自動研削機 7AF-HMG 搭配時,可使從線鋸切片或雷射分割到磊晶前的製程同步,在壓低每片晶圓成本的同時取得高良率。

主要規格

研磨方式單片式 CMP(ViPRR 載具)
適用晶圓尺寸150 mm(備有 200 mm 轉換套件)
主要用途SiC 基板的量產研磨

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

SiC 專用的全自動單片式 CMP(乾進/乾出)
可切換 150mm/200mm
無人化研磨・清洗 50 片的雙面
表面粗糙度 Ra 約 1.5Å

主要用途

  • SiC 基板的研磨(磊晶前)
  • EV・逆變器用 SiC 功率元件的基板

製造商

Revasum(總部:美國)

所屬設備分類

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資料來源

  1. Revasum 官方新聞稿:Revasum 6EZ