Revasum/ウェハ研磨・面取り装置

6EZ

SiC ウェーハ研磨のために一から設計された枚葉 CMP 装置。冷却技術で硬質材料向けの高い荷重・回転数を扱える。

6EZとは

6EZ は、Revasum の SiC 向け CMP 装置です。SiC 専用に設計された世界初の全自動・枚葉・ドライイン/ドライアウトのポリッシャとしています。150mm と 200mm の SiC ウェーハを研磨できるよう簡単に構成を変えられ、200mm 用の変換キットも発表されています。

カセット・ツー・カセットの全自動ウェーハ搬送と統合された洗浄モジュールを持ち、乾いた状態で受け入れて乾いた状態で払い出します。50 枚の SiC 基板の両面を、作業者の介入なしに順に研磨・洗浄できます。

ウェーハ全面で TTV(全厚さばらつき)を最小にし、表面粗さ Ra を 1.5Å 程度に抑えます。同社の全自動グラインダ 7AF-HMG と組み合わせると、ワイヤスライスやレーザー分割からエピ前までの工程を同期させ、ウェーハあたりのコストを抑えながら高い歩留まりを得られるとしています。

主な特長

  • •SiC 専用の全自動枚葉 CMP(ドライイン/ドライアウト)
  • •150mm/200mm を切り替え可能
  • •50 枚の両面を無人で研磨・洗浄
  • •表面粗さ Ra 約 1.5Å

主な仕様

研磨方式枚葉 CMP(ViPRR キャリア)
対応ウェハ径150 mm(200 mm 変換キットあり)
主要用途SiC 基板の量産研磨

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目岡本工作機械製作所PNX332BRevasum6EZ不二越機械工業片面研磨装置(研究開発・小ロット用)
研磨方式片面ファイナルポリッシュ(3 テーブル)枚葉 CMP(ViPRR キャリア)片面研磨
対応ウェハ径300 mm150 mm(200 mm 変換キットあり)φ2 ~ φ12 インチ
主要用途シリコンウェーハの超鏡面仕上げSiC 基板の量産研磨研究開発・小ロット生産、サファイア・SiC 加工

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

主な用途

  • •SiC 基板の研磨(エピ前)
  • •EV・インバータ向け SiC パワーデバイス用基板

掲載カテゴリ

6EZは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。

メーカー

Revasum

200mm以下のウェハ向け研削(グラインダ)・CMP装置に特化した米国メーカー。SiC・GaN・サファイアなど硬脆材料の加工に強みを持つ。

Revasum の企業情報 →メーカー公式の製品ページ ↗

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関連用語

出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-06
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