晶圓拋光、倒角設備是什麼

晶圓拋光與倒角設備是將切片後的晶圓表面鏡面化、整修邊緣之精加工製程的設備群。以研磨（lapping，粗磨）調整厚度與起伏，以倒角（邊緣研磨機）加工成為破裂、崩邊起點的外周，再以 CMP 最終拋光，完成原子等級平坦的鏡面表面。表面粗糙度、奈米形貌、殘留損傷直接關係到後續曝光的焦深與薄膜沉積的均勻性。

重點整理

以研磨→倒角→拋光（CMP）將晶圓鏡面精加工

以倒角（邊緣加工）防止外周破裂與崩邊

奈米形貌與表面粗糙度左右後續曝光與薄膜沉積品質

與前段製程的 CMP 設備目的不同，屬於「晶圓製造端」的平坦化製程

晶圓製造的 CMP 與前段製程的 CMP 有何不同？

兩者目的不同。晶圓製造端的 CMP 是將裸晶圓表面鏡面化的精加工製程，前段製程的 CMP 則是在元件形成過程中進行層間平坦化。

為什麼需要倒角（邊緣加工）？

將晶圓外周的稜角磨圓，可消除傳送與熱處理時破裂、崩邊及微粒產生的起點，以提升良率。

化合物半導體基板製造設備是製造 SiC、GaN、GaAs、InP 等矽以外之半導體基板並進行沉積的設備群。

單晶生長設備是將多晶矽原料熔融，從晶種成長出無缺陷單晶晶棒的設備。

雙面拋光設備（DSP）是以上下研磨盤同時拋光晶圓正反兩面，做出高平坦度與平行度的設備。

晶圓基板檢測設備是針對投入元件製程前的鏡面晶圓，檢測表面異物、刮傷、LPD（光點缺陷）、形狀、電阻率等的設備群。

晶圓邊緣拋光設備是拋光經倒角（bevel）加工之晶圓外周部，去除邊緣粗糙與微裂紋的設備。

切片設備是將成長完成的單晶晶棒切成薄晶圓的設備。