7nmプロセス（7ナノプロセス）は、FinFETトランジスタ構造とEUV露光の初期適用を組み合わせた半導体製造ノードです。TSMC N7（2018年量産）はApple A12 Bionic（iPhone XS搭載）・AMD Ryzen 3000シリーズ・NVIDIA Turing GPU（一部）に採用され、10nmから約40%の性能向上と約40%の面積縮小を実現しました。Samsung 7LPP（2019年）もEUVを積極活用した初の量産ノードとして注目されました。
TSMC N7プロセスはDUV（ArF液浸）のみで実装されましたが、改良版N7+からEUVを部分的に導入（クリティカル層の一部）することで、マルチパターニング工程を削減しています。FinFET構造の採用により、平面MOSFETと比べてリーク電流を抑制しながら高速動作を実現しています。7nmで製造されたチップは現在もクラウドサーバー向けCPU（AMD EPYC Rome）・産業用途で広く使用されており、成熟ノードとして安定供給が続いています。
プロセスノードの世代間比較として、7nmは5nmの前世代に位置します。5nm（TSMC N5：2020年）に比べてトランジスタ密度は低いですが、製造コストが低く量産ラインも安定しているため、コストパフォーマンスが重要な用途では引き続き選択されます。3nm・5nmとのノード比較はそれぞれ3nm-processおよび5nm-processの用語、プロセスノード全体の比較は3nm-vs-5nmの比較記事を参照してください。EUV露光装置の役割はeuv-lithography-equipmentで詳しく解説しています。