ウェットエッチング（Wet Etching）は、液体の薬液（エッチャント）にウェハを浸漬または薬液を噴射することで、ウェハ表面の特定の材料を選択的に溶解・除去するプロセスです。半導体製造における最も古典的なエッチング手法で、現在でも洗浄・自然酸化膜除去・選択的エッチング・バルク除去などに広く使われています。
代表的な薬液と用途として、HF（フッ酸）はシリコン酸化膜（SiO₂）の選択エッチングや自然酸化膜除去に使われます（シリコンは浸食せず高い選択比）。H₃PO₄（リン酸）は窒化ケイ素（SiN）のエッチングに使われます。KOH（水酸化カリウム）はシリコンの異方性エッチングに使われ、MEMS製造で特定の結晶面を露出させるのに有用です。SC-1/SC-2洗浄液は有機物・金属汚染の除去に使用されます。
ウェットエッチングの特性として、等方性（方向によらず均一にエッチングが進む）が基本です。このため、パターンの端部のシリコン基板下にエッチングが進む「アンダーカット」が生じやすく、微細なパターン形成には不向きです。現代の微細加工ではドライエッチング（異方性エッチング）が主力ですが、ウェットエッチングはドライでは難しい選択比の高い一括除去や、3D NAND製造のSiGe犠牲層除去などに不可欠です。
枚葉式洗浄装置（Single Wafer Cleaner）では、スピンスプレー方式で薬液をウェハに噴霧しながら回転させ、均一なウェットエッチング・洗浄を実現します。超純水（UPW）リンスや乾燥（IPA蒸気置換、ロタゴニウム乾燥など）との組み合わせが精度向上のポイントです。
主要装置メーカーはSCREENホールディングス（枚葉洗浄で世界トップ）、東京エレクトロン（TEL）、SEMESなどです。先端ノードでは、薬液の濃度・温度・流量・処理時間の精密制御が歩留まりに直結するため、装置の精度要求が年々高まっています。