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オックスフォード・インストゥルメンツ

プラズマエッチング・ALD(原子層堆積)装置を手掛ける英国発の科学機器メーカー。化合物半導体・MEMS向けの微細加工装置や分析機器を幅広く展開する。

🌐 GB装置メーカー公式サイト

当サイトでの位置づけ

Semirai の成膜・エッチング装置カテゴリでは、プラズマエッチング・ALD装置を手掛ける英国発の科学機器メーカーとして位置づけられます。

企業の強み

プラズマエッチング・ALD装置に強み
化合物半導体・MEMS向け加工技術
分析機器を含む幅広い製品展開

主要製品・ソリューション

成膜・エッチング装置

  • プラズマエッチング装置
  • ALD装置

📊 半導体製造装置メーカーの世界シェア&カオスマップ

ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、オックスフォード・インストゥルメンツを含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。

関連用語

ALD(原子層堆積)とは →ALDとは →エッチングとは →化合物半導体とは →

同じトピックの用語

エッチング・成膜(CVD/PVD/ALD) のトピックで関連する用語です。

ドライエッチングとは →CVD(化学気相成長)とは →ウェットエッチングとは →PVDとは →エッチバックとは →RIEとは →エピタキシー(エピ成長)とは →ALE(原子層エッチング)とは →

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Lam Research米国Applied Materials米国東京エレクトロン(TEL)日本日立ハイテク日本ジュソンエンジニアリング(Jusung Engineering)韓国カート・J・レスカー(Kurt J. Lesker)米国

比較・違いを学ぶ

ドライエッチングとウェットエッチングの違い
ドライエッチングは真空プロセスでイオン・ラジカルを利用し、異方性エッチングがしやすいのが特長です。ウェットエッチングは液相で均一かつ高選択比な除去が可能な場合が
CVDとPVDの違い(成膜プロセス比較)
CVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長)は気相の化学反応で薄膜を堆積し、PVD(Physical Vapor Depositi
ALDとCVDの違い(原子層成膜 vs 化学気相成膜)
CVD(Chemical Vapor Deposition)は反応ガスを同時供給して連続的に成膜するのに対し、ALD(Atomic Layer Depositi
PECVDとLPCVDの違い(プラズマCVD vs 熱CVD)
PECVDとLPCVDはどちらもCVD(化学気相成長)の一方式ですが、活性化エネルギーの源泉が根本的に異なります。PECVD(Plasma Enhanced C
ALDとPVDの違い(原子層成膜 vs スパッタ成膜)
ALD(Atomic Layer Deposition:原子層堆積)とPVD(Physical Vapor Deposition:物理気相成長)は、どちらも半導
MOCVDとMBEの違い(化合物半導体エピタキシー比較)
MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition:有機金属気相成長)はGaN LED・パワーHEMT・HBT・レーザー
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