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ジュソンエンジニアリング(Jusung Engineering)

韓国発のCVD・ALD・ドライエッチング装置の総合メーカー。メモリ半導体・ディスプレイ向けの成膜・エッチング装置を中心に、韓国半導体産業の成長を支えてきた。

🌐 韓国装置メーカー公式サイト

当サイトでの位置づけ

Semirai の成膜・エッチング装置カテゴリでは、韓国発のCVD/ALD/エッチング総合装置メーカーとして位置づけられます。

企業の強み

CVD/ALD/エッチングを総合展開
メモリ半導体向けに豊富な導入実績
韓国半導体産業との強い結びつき

主要製品・ソリューション

成膜・エッチング装置

  • CVD装置
  • ALD装置
  • ドライエッチング装置

📊 半導体製造装置メーカーの世界シェア&カオスマップ

ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、ジュソンエンジニアリング(Jusung Engineering)を含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。

関連用語

CVD(化学気相成長)とは →ALD(原子層堆積)とは →エッチングとは →

同じトピックの用語

エッチング・成膜(CVD/PVD/ALD) のトピックで関連する用語です。

ドライエッチングとは →ウェットエッチングとは →PVDとは →ALDとは →エッチバックとは →RIEとは →エピタキシー(エピ成長)とは →ALE(原子層エッチング)とは →

同じトピックの企業

Lam Research米国Applied Materials米国東京エレクトロン(TEL)日本日立ハイテク日本カート・J・レスカー(Kurt J. Lesker)米国オックスフォード・インストゥルメンツGB

比較・違いを学ぶ

ドライエッチングとウェットエッチングの違い
ドライエッチングは真空プロセスでイオン・ラジカルを利用し、異方性エッチングがしやすいのが特長です。ウェットエッチングは液相で均一かつ高選択比な除去が可能な場合が
CVDとPVDの違い(成膜プロセス比較)
CVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長)は気相の化学反応で薄膜を堆積し、PVD(Physical Vapor Depositi
ALDとCVDの違い(原子層成膜 vs 化学気相成膜)
CVD(Chemical Vapor Deposition)は反応ガスを同時供給して連続的に成膜するのに対し、ALD(Atomic Layer Depositi
PECVDとLPCVDの違い(プラズマCVD vs 熱CVD)
PECVDとLPCVDはどちらもCVD(化学気相成長)の一方式ですが、活性化エネルギーの源泉が根本的に異なります。PECVD(Plasma Enhanced C
ALDとPVDの違い(原子層成膜 vs スパッタ成膜)
ALD(Atomic Layer Deposition:原子層堆積)とPVD(Physical Vapor Deposition:物理気相成長)は、どちらも半導
MOCVDとMBEの違い(化合物半導体エピタキシー比較)
MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition:有機金属気相成長)はGaN LED・パワーHEMT・HBT・レーザー
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