拡散炉（Diffusion Furnace）は、半導体製造の熱処理工程で使用される縦型または横型の高温炉装置です。シリコンウェハを高温（500〜1200°C）に加熱し、不純物（ドーパント）の拡散・活性化、熱酸化膜（SiO₂）の形成、CVD成膜（ポリシリコン・窒化膜など）などを行います。バッチ処理で多数枚のウェハをまとめて処理するためスループットが高く、幅広いノードで使用されています。
縦型拡散炉（Vertical Furnace）は、ウェハを積載した石英ボートを縦型チューブに挿入して加熱する現代の主流形態です。温度均一性（±0.5°C以下）と雰囲気制御（O₂・N₂・H₂・Cl₂など）が主要な性能指標です。横型炉と比べてウェハの自重による変形（スリップ）が少なく、300mmウェハ対応に適しています。
RTP（Rapid Thermal Processing）が短時間・低熱バジェット処理に使われる一方、厚い酸化膜形成・ポリシリコン成膜など長時間処理ではバッチ式拡散炉が優位です。主要メーカーは東京エレクトロン（TEL）、国際電気（Kokusai Electric）などで、縦型炉市場では日本企業が強い競争力を持ちます。