Verdict結論
三星與SK海力士最大的差異在於「HBM的領先程度」。DRAM整體市占率方面，三星約40～42%居首，SK海力士約30～32%居第2，但在AI用HBM市場情勢卻相反。SK海力士全球率先量產HBM3E（2024年），成為輝達H200、B200的主要供應商；而據報導，三星的HBM3E在輝達品質認證上有所延遲。兩家公司都以2025～2026年量產HBM4為目標。
主要差異
| 比較項目 | 三星（Samsung） | SK海力士（SK hynix） |
|---|---|---|
| DRAM全球市占率（2024年） | 約40～42%（居首） | 約30～32%（第2） |
| HBM3E量產狀況 | 量產中，但據報導輝達品質認證延遲 | 全球首家量產HBM3E（2024年），輝達H200、B200的主要供應商 |
| HBM4開發 | 以2025～2026年量產為目標，考慮以台積電N2製造邏輯晶粒 | 以2025年底～2026年量產為目標，採用台積電4nm，邏輯晶粒委外製造 |
| DRAM最先進製程 | 1b nm世代，採用EUV | 1b nm世代，採用EUV |
| NAND市占率（2024年） | 約30～33%（居首） | 約20～22%（第3） |
| NAND最大堆疊層數 | 第9代V-NAND（290層）量產 | 238～321層（2024～2025年）量產計畫 |
| 生產據點 | 韓國（華城、平澤）、中國（西安） | 韓國（利川、清州）、中國（無錫、大連） |
| AI/HPC相關營收 | HBM起步較晚，2024年相對陷入苦戰 | HBM領先，AI相關營收急速擴大（2024年營業利益達歷史新高水準） |
SK海力士在HBM市場逆轉三星的背景
2023年以前，三星在DRAM整體居壓倒性首位，但在HBM市場，SK海力士以HBM3與HBM3E領先，成為輝達與超微的主要供應商。據稱三星的HBM3E在散熱設計與電源效率上，花了較長時間才達到輝達的要求標準。SK海力士已提出在HBM邏輯晶粒採用台積電先進製程的方針，力求在AI用HBM的效能競爭中維持優勢。
三星的反攻策略：AI記憶體與製程投資
三星自2024年下半年起，加速推進HBM3E的良率改善與品質認證。此外，在新一代HBM4上，計畫以自有的低電阻導線技術及與三星晶圓代工的垂直整合作為武器。在NAND市場，面對長江存儲（中國）崛起帶來的價格壓力，三星的方針是以V-NAND的堆疊層數與QLC採用維持成本領先。也有人指出，在DRAM、NAND、HBM三條戰線上分散資源是一大課題。
常見問題
三星與SK海力士的DRAM品質有差異嗎？
兩家公司都有從高品質企業級到消費級的產品。若是相同規格（DDR5-4800等），效能幾乎沒有差異。不過在伺服器用RDIMM方面，三星產品因多年實績而較常被採用；在HBM市場，則是SK海力士目前評價較高。
韓國記憶體企業有地緣政治風險嗎？
有。韓國的半導體產業受與日本、美國、中國之間的關係影響甚鉅。2019年日本的材料出口管制、美國對華為的DRAM禁運、中國工廠受美國管制都是代表性例子。兩家公司正逐步降低中國生產比重，並擴大在韓國國內的投資。
為什麼美光的市占率不如前2大廠商？
美光是美國最大的DRAM廠商，但與三星、SK海力士等韓國廠商相比，長年在設備投資規模與成本競爭力上存在課題。不過美光的HBM3E已於2024年取得輝達認證，並開始供應H200。HBM市場的3家公司競爭正全面展開。