晶圓代工
涵蓋晶圓代工的商業模式、與無晶圓廠（IC 設計公司）及整合元件製造廠（IDM）的分工、製程平台與設計支援等。晶圓代工負責將客戶的設計實際製造成晶片，是半導體產業分工體系的核心環節。
比較文章（4 篇）
- 台積電與三星晶圓代工的差異・比較台積電與Samsung Foundry最大的差異在於「商業模式」。台積電是不設計自有晶片的純晶圓代工廠，憑藉不與客戶競爭的定位，掌握約60%的晶圓代工市占率。三星以IDM身分自行設…
- 台積電與英特爾晶圓代工的差異（製程、客戶與良率比較）台積電與Intel Foundry最大的差異在於「純晶圓代工還是兼營IDM」。台積電沒有自有產品，與客戶沒有利益衝突，市占率超過60%，擁有蘋果、輝達、超微、高通等量產實績，即使在…
- 三星與SK海力士的差異（DRAM、HBM與NAND記憶體競爭比較）三星與SK海力士最大的差異在於「HBM的領先程度」。DRAM整體市占率方面，三星約40～42%居首，SK海力士約30～32%居第2，但在AI用HBM市場情勢卻相反。SK海力士全球率…
- 無晶圓廠與晶圓代工的差異無晶圓廠是「只做設計、不擁有工廠（晶圓廠）的企業」，晶圓代工則是「承接他公司所設計晶片製造的企業」。無晶圓廠不必負擔龐大的建廠投資，可將資源集中在設計、軟體與客戶開發，代表例子有輝…
用語解說（13 個）
- FinFET（鰭式場效電晶體）FinFET 是把電晶體的通道做成直立的「鰭」狀，讓閘極從三面包覆通道的立體電晶體結構，用來抑制微縮後越來越嚴重的漏電流。
- GAA（環繞式閘極）GAA 是閘極從四面完全包覆通道的電晶體結構，通道做成多層水平的奈米片，是繼 FinFET 之後先進邏輯製程的新一代電晶體。
- EUV 曝光機EUV 曝光機是以波長 13.5nm 的極紫外光為光源的最先進半導體曝光設備。由於波長僅約 ArF 浸潤式（193nm）的 1/14，能以單次曝光形成 7nm 以下的微細圖案。EU…
- 台積電 N2 製程台積電 N2 製程是台積電於 2025年開始量產的 2nm 級邏輯製程節點，首度全面從 FinFET 轉向 GAA（Gate-All-Around）奈米片電晶體。
- Intel 18A／Intel 3 製程Intel 18A／Intel 3 製程是英特爾製程節點路線圖中的最先進世代，英特爾除了用於自家產品（IDM），也透過 IFS 提供給外部客戶，目標是重振晶圓代工事業。
- 小晶片（Chiplet）小晶片（Chiplet）是不以單一大型晶片製作，而是依功能區塊個別製造小型晶粒，再以先進封裝進行2.5D 或3D 整合的設計架構。其優點是小晶粒的缺陷機率較低、良率較高，且可只將 …
- 先進封裝先進封裝是把多顆晶片以高密度互連整合在一起的封裝技術總稱，包括 2.5D、3D 堆疊與扇出型封裝。在電晶體微縮越來越困難的時代，它成為提升系統效能的主要手段之一。
- 7nm 製程7nm 製程是結合FinFET電晶體結構與EUV曝光初期應用的半導體製造節點。
- 5奈米製程5奈米製程是半導體製造技術世代（節點）之一，代表繼7nm節點之後的先進製造技術，是業界標準的稱呼，未必與實際電晶體最小尺寸一致。
- 3奈米製程所謂3nm製程，是指最小閘極長度相當於3nm之微縮程度的最先進半導體製程節點。實際物理尺寸並非3nm，而是業界的世代名稱，由台積電 N3 與三星 3GAE 量產。三星自3nm世代起…
- PDK（製程設計套件）PDK（製程設計套件）是晶圓代工廠為了讓客戶以其製程設計電路而提供的一整套資料，包含 SPICE 模型、設計規則、DRC/LVS 規則檔、寄生參數萃取檔等。無晶圓廠企業沒有 PDK…
- MPW（多專案晶圓）MPW（多專案晶圓）是讓多個設計的晶片共用 1 套光罩，在同一片晶圓上一起製造以分攤費用的試製服務，也稱為「shuttle」。與專用光罩相比可大幅壓低試製費用，被用於 IP 驗證、…
- 投片（Tape-out）投片（tape-out）是指晶片設計通過時序、DRC/LVS、電源網路等所有最終驗證（簽核），並將最終佈局資料交給晶圓代工廠、送進製造的動作。語源是過去以磁帶傳送資料。之後的修正就…
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最後更新：2026年10月8日