深寬比（Aspect Ratio）是溝槽、通孔、接觸孔等微細結構的「深度÷寬度（開口徑）」比值。深寬比越高（＝越深越細），蝕刻加工以及後續成膜時的填充（間隙填充）就越困難，因此是象徵先進製程難度的指標。
高深寬比加工需要垂直性高的非等向性蝕刻，深挖時會使用DRIE（深反應離子蝕刻）等技術。另一方面，要無空隙（void）地填滿深孔與深溝，則需要階梯覆蓋率優異的ALD，或由下而上填充能力強的成膜與電鍍技術。
極端高深寬比的代表例是3D NAND的通道孔，隨著堆疊層數增加，深寬比已達到超過60的範圍。此外，DRAM的電容、TSV（矽穿孔）等高深寬比結構，也是先進記憶體與封裝的關鍵。
深寬比規範了蝕刻、成膜、清洗等所有製程的極限，是設備與製程開發的核心課題。搭配DRIE、蝕刻、ALD、3D NAND等條目一起閱讀，即可理解高深寬比加工為何困難且重要。設備由科林研發（Lam Research）、東京威力科創（TEL）、應用材料（Applied Materials）等廠商提供。