薄膜沉積用語:台灣・中國大陸・英文對照

薄膜沉積是在晶圓上長出絕緣膜、導體膜與半導體膜。台灣說「沉積」「濺鍍」「磊晶」,中國大陸說「沉积」「溅射」「外延」。

薄膜沉積是什麼

主要方法有化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、原子層沉積(ALD)與磊晶成長,各自適合不同的材料、厚度與均勻度要求。

台灣業界口語也常說「長膜」。「epitaxy」在台灣是「磊晶」,中國大陸是「外延」,兩者字面完全不同;磊晶晶圓在中國大陸稱為「外延片」。

薄膜沉積用語表(13 個)

台灣用語中國大陸用語英文
薄膜沉積薄膜沉积Deposition
化學氣相沉積化学气相沉积Chemical Vapor Deposition (CVD)
電漿輔助化學氣相沉積等离子体增强化学气相沉积Plasma-Enhanced CVD (PECVD)
低壓化學氣相沉積低压化学气相沉积Low-Pressure CVD (LPCVD)
原子層沉積原子层沉积Atomic Layer Deposition (ALD)
物理氣相沉積物理气相沉积Physical Vapor Deposition (PVD)
濺鍍溅射Sputtering
磊晶
磊晶晶圓在中國大陸稱為「外延片」
外延Epitaxy
有機金屬化學氣相沉積金属有机化学气相沉积Metal-Organic CVD (MOCVD)
電鍍电镀Electrochemical Deposition (ECD)
熱氧化热氧化Thermal Oxidation
高介電常數材料高介电常数材料(高k)High-k Dielectric
矽晶圓
silicon 在台灣是「矽」,中國大陸是「硅」
硅片/硅晶圆Silicon Wafer

用語解說

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最後更新:2026-10-06