坩堝是用來在高溫下熔化或加熱物質的耐熱容器。一般指用於金屬熔煉或化學分析的器具，但在半導體領域，主要指在拉製矽單晶的柴可拉斯基法（CZ 法）中，用來盛裝熔化多晶矽的石英玻璃坩堝。
CZ 法將高純度多晶矽填入石英坩堝，以周圍的加熱器加熱至超過熔點（約1,414℃）而成為熔湯。接著將晶種浸入，一邊使坩堝與晶體彼此反向旋轉一邊緩慢拉起，使單晶晶棒成長。高溫下的石英黏度降低、容易變形，因此坩堝從外側以石墨製承載座（susceptor）支撐。300mm 晶圓用的晶體，是在口徑32吋（約800mm）等級的大型坩堝中熔化數百 kg 的矽。
選用石英作為坩堝材料，是因為它能高純度化，且對矽熔湯相對穩定。但它並非完全惰性，與熔湯接觸的內壁會以 Si + SiO₂ → 2SiO 的反應緩慢溶出。產生的 SiO 大部分從熔湯表面蒸發，但部分氧會被晶體吸收，以晶格間氧的形式殘留。CZ 矽含有10～18ppma 左右的氧，原因就在此；不使用坩堝的 FZ 法晶體則幾乎不含氧。
坩堝的品質直接影響晶體的良率。若內壁的氣泡破裂，或表面失透（白矽石化）的部分剝落，這些微粒抵達成長界面後會使晶體產生差排，無法作為單晶使用（差排化）。因此採用外側為含氣泡的不透明層、接觸熔湯的內側為無氣泡透明層的2層結構，並在內層使用高純度合成石英的坩堝。
坩堝基本上是耗材。拉晶後冷卻時，殘留的矽在凝固時膨脹，加上石英結晶化，會使坩堝破裂，因此原則上每1次長晶即更換。為了從1個坩堝得到更多晶體，也會採用拉晶後追加原料的再填料（recharge）技術。矽以外的材料，GaAs 等化合物半導體的長晶使用 pBN（熱解氮化硼）製坩堝，SiC 的昇華法（PVT 法）使用石墨製坩堝，依材料選用不易與熔湯或蒸氣反應的材質。