PVT 法（Physical Vapor Transport：物理氣相傳輸法、昇華法、改良 Lely 法）是將原料在高溫下昇華，利用溫差輸送蒸氣，使其在晶種上再結晶以長成單晶的晶體成長技術。用於如 SiC（碳化矽）、AlN（氮化鋁）等在常壓下不具液態，或熔點極高的材料。
以 SiC 為例，在坩堝下部放置 SiC 粉末原料、上部放置晶種，整體加熱至 2,000～2,500℃。讓原料端溫度稍高、晶種端稍低，昇華出的 Si、Si₂C、SiC₂ 等氣體物種便會沿溫度梯度上升，在晶種表面達到過飽和並析出成晶體。成長速度每小時約 0.1～1mm，非常緩慢，1 根晶棒需要數天。
與矽的 CZ 法相比，決定性的差異在於成長慢、晶棒短。CZ 法可在數十小時內拉出 2m 級的晶棒，而 PVT 法的 SiC 晶棒長度僅有數十mm。1 根晶棒可切出的晶圓片數少得多（相差一個數量級以上），是 SiC 基板比矽晶圓貴一個數量級以上的最大原因。
品質方面的課題是 SiC 特有的晶體缺陷。過去貫穿孔狀的微管（micropipe）是致命缺陷，但透過改善成長條件已幾乎消除。目前的主要課題是基面差排（BPD），它會在通電中擴展為疊差，使導通電阻隨時間上升，因此會搭配在磊晶成長階段將 BPD 轉換為刃狀差排的技術來降低。防止多型（4H/6H）混雜的溫度與壓力控制也很重要。
近年也在研究速度更快的溶液成長法（Top Seeded Solution Growth）與高溫 CVD 法，但量產主流仍是 PVT 法。設備由 PVA TePla 等供應，基板廠商則有 Wolfspeed、Coherent、SK Siltron、Resonac、住友電工等相互競爭。目前正朝 8 吋（200mm）化推進，口徑擴大是降低 SiC 元件成本的關鍵。