矽晶圓製造是以高純度多晶矽為原料長成單晶晶棒，再將其切片、研磨，製成可用於元件製造之鏡面晶圓的一連串製程。它位於半導體前段製程（在晶圓廠形成電路）開始之前的階段，是由晶圓廠商（信越半導體、勝高（SUMCO）、環球晶圓（GlobalWafers）、Siltronic、SK Siltron）負責的獨立產業領域。
製程大致分為 4 個階段。①晶體成長：在石英坩堝內熔化矽，從晶種拉出單晶晶棒（CZ 法）。功率元件用的高電阻、低氧晶圓則採用不使用坩堝的 FZ 法。②外形加工：研削晶棒外周使直徑一致，刻出表示結晶方位的缺口（notch，或平邊），再以線鋸切成薄片。
③平坦化・研磨：剛切片的晶圓帶有加工變質層與翹曲，因此以研磨（lapping 或 grinding）調整厚度與平坦度，以蝕刻去除加工損傷層，再以雙面拋光（DSP）與最終拋光（CMP）製成鏡面。邊緣部分也以專用研磨使其平滑，消除破裂與微粒的起點。④最終處理：最終清洗後，全數檢測微粒、平坦度與缺陷，以雷射刻印 ID 後裝入 FOSB 出貨。
在這些製程中建立的品質指標，直接關係到元件良率。平坦度（TTV、SFQR）影響微影的焦深餘裕，奈米形貌（nanotopography）影響 CMP 的均勻性，翹曲（Bow、Warp）影響搬運與曝光時的吸附，晶格間隙氧濃度影響吸雜（gettering）能力與機械強度，COP 等晶體缺陷則影響閘極絕緣膜的耐壓。晶圓不是「單純的圓盤」，而是以數十項規格管理的精密材料。
晶圓種類也依用途區分。有研磨後直接使用的拋光晶圓、在其上成長單晶層的磊晶晶圓、以氫/Ar 退火消除表層缺陷的退火晶圓、夾有絕緣膜的 SOI 晶圓、再生後作為測試用的再生晶圓（reclaim wafer）等；此外，SiC、GaN、藍寶石等化合物基板則另成體系，供功率半導體與 LED 使用。