COP（Crystal Originated Particle／Pit：晶體原生缺陷）是在以 CZ 法成長的矽晶體中產生、尺寸約數十～200nm 的八面體狀空位聚集體（空洞）。在晶體成長過程中，過剩的空位（原子缺失的缺陷）聚集而成，出現在晶圓表面時會被觀察為凹陷（凹坑）。由於在清洗後的微粒檢測中會被計為「微粒」，因而有了這個容易混淆的名稱。
COP 成為問題的最大原因，是會降低閘極絕緣膜的耐壓（GOI：Gate Oxide Integrity）。若 COP 位於閘極氧化層正下方，只有該部分的有效膜厚變薄或電場集中，會成為初期不良或可靠度不良的原因。在閘極絕緣膜薄到只有數nm 的世代，即使是數十nm 的空洞也是致命的。
COP 的產生由晶體成長時「拉晶速度 V／固液界面溫度梯度 G」的比值決定。V/G 大（拉得快）時空位過剩而產生 COP，V/G 小時晶格間隙矽過剩而產生差排團。瞄準兩者都不發生的狹窄條件帶所成長的晶圓，稱為「無缺陷晶體（Perfect Silicon、完美晶體）」，被視為高階規格。
消除 COP 的方法主要有 3 種：①以 V/G 控制成長無缺陷晶體；②在氫或氬氣氛中進行高溫退火（使表面附近的空洞閉合＝退火晶圓）；③成長磊晶層（以磊晶層覆蓋 COP 使表面無缺陷＝磊晶晶圓）。①可提升整片晶圓的品質，但會犧牲成長速度；②③則會增加成本。
評估方法包括反覆進行 SC-1 清洗使 COP 顯現後再以微粒計數器計數、雷射散射式表面檢測設備，以及紅外散射斷層掃描。針對元件廠商要求的 GOI 水準，要使用以哪種方式抑制 COP 的晶圓，是在晶圓成本與元件良率之間權衡判斷。