晶種（Seed Crystal）是在成長單晶時作為「結晶方位範本」使用的小單晶片。原子從熔液或蒸氣排列時，會直接承襲晶種的晶格排列，因此晶種的方位決定了整個成長晶體的方位。CZ 法、FZ 法、PVT 法（SiC 的昇華成長）等，幾乎所有製造單晶的方法都會使用。
在矽的 CZ 法中，將切成〈100〉或〈111〉等特定結晶方位的棒狀晶種稍微浸入熔液表面後，開始旋轉與拉起。元件用晶圓多數採用〈100〉方位，是因為 MOS 電晶體的 Si/SiO₂ 介面態密度低，有利於臨界電壓的控制。功率元件或雙極元件用途有時也會使用〈111〉。
植晶後立即進行的「縮頸（Dash 縮頸法）」是左右晶體品質的重要操作。晶種接觸熔液瞬間的熱衝擊會產生大量差排，因此先將直徑拉細到約 3～5mm 再拉起，使差排逸散到晶體表面而消失。經過這道步驟後，才能將無差排的單晶加粗。
SiC 的 PVT 法情況不同。在超過 2,000℃ 下昇華的原料氣體，會在溫度稍低的晶種上再結晶，因此晶種本身會長時間暴露在高溫下。晶種的品質（微管、差排密度）與晶種背面的黏著狀態，會直接傳承為成長晶體的缺陷，因此晶種的準備大幅左右 SiC 基板的良率。
晶種是從上一代的優質單晶切取製成。也就是說，晶體品質具有跨世代傳承的性質；初期建立無差排化的技術，成為之後量產品質的基礎，從這個意義上來說，這也是材料產業累積效果顯著的領域。