硼（Boron，元素符號B）是原子序5的13族（3族）元素，加入矽中會作為受體形成p型半導體，是代表性的p型摻雜物。進入矽原子位置的硼，與周圍的矽鍵結時少了1個電子，因此會從附近接收電子，並在原處留下電洞（hole）。在矽LSI的p型摻雜物中，實務上幾乎只使用硼。
硼的原子輕而小，因此在處理上有其特有的難處。離子佈植時，即使能量相同也會打入很深的位置，因此要形成淺接面，必須以極低的能量佈植，或使用分子較重的BF₂⁺（二氟化硼）離子、B₁₈H₂₂等團簇離子。此外，硼容易沿著晶體原子排列方向深入，發生通道效應（channeling），因此會將晶圓傾斜，或以鍺等元素將表面非晶化（預非晶化）來防止。再者，硼容易擴散，若有佈植造成的晶格損傷，在熱處理初期會發生異常快速擴散的暫態增強擴散（TED），因此會以尖峰退火、閃光燈退火、雷射退火等方式在短時間內活化。
硼的來源包括離子佈植用的BF₃（三氟化硼）與B₂H₆（乙硼烷），以及熱擴散用的BBr₃（三溴化硼）與氮化硼固態源。磊晶成長時會在原料氣體中混入乙硼烷，將高濃度的硼摻入作為pMOS源極・汲極的SiGe層（in-situ摻雜）。乙硼烷毒性與可燃性都很高，因此會使用鋼瓶櫃、尾氣處理設備，以及以減壓方式安全供應的容器加以管理。此外，p型矽晶圓多半是由加入硼後拉晶而成的晶體製成，過去也曾用於層間介電層的BPSG（硼磷矽玻璃）。