ALE（Atomic Layer Etching：原子層蝕刻）是以原子層1層為單位、自我限制（self-limiting）地進行蝕刻的技術。它被定位為對應 ALD（原子層沉積）「成膜版」的「移除版」，透過交替循環表面的化學改質與移除，實現原子層等級的精度與高選擇性。在3nm以後的超微細加工中，提供傳統連續電漿蝕刻難以達到的尺寸精度與形狀控制性。
ALE 大致有2種方式。電漿 ALE（等向性／非等向性 ALE）重複進行改質步驟（以反應性氣體對表面進行化學改質）與移除步驟（以低能量離子照射僅使改質層揮發移除）。熱 ALE（Thermal ALE）則在低溫・無電漿環境中僅利用化學反應，適合高深寬比結構與脆弱材料。已應用於 FinFET 的閘極間隙壁蝕刻、GAA 奈米片的矽選擇性移除、EUV 光阻的修整（trimming）等。
與傳統 RIE 相比，ALE 的優點有3項：蝕刻量的原子層單位控制・高選擇比（幾乎不蝕刻相鄰材料）・無損傷加工。循環時間長、產能是其課題，但透過選擇性地應用於關鍵步驟加以解決。主要設備廠商科林研發（Lam Research，Kiyo 系列具 ALE 功能的蝕刻機）、東京威力科創（Tactras）、應用材料（Applied Materials）主導開發。