電漿（Plasma）是氣體達到高能量狀態、解離成電子與正離子的「物質第4態」，在半導體製造中是蝕刻、薄膜沉積、清潔、表面改質等許多製程的基礎技術。以 RF（射頻）功率或電子迴旋共振（ECR）使低壓（1Pa～數百 Pa）氣體解離，將反應性高的自由基與離子供應到晶圓表面。
半導體製造中使用電漿的主要製程如下。①電漿蝕刻（乾式蝕刻）：以 CF₄、Cl₂、HBr 等反應性氣體的電漿選擇性去除膜材料。②電漿 CVD（PECVD）：以電漿分解 SiH₄、N₂O、NH₃ 等氣體，在低溫下沉積薄膜。③電漿 ALD：在 ALD 製程的吹淨與反應步驟中使用電漿，實現低溫、高品質的原子層沉積。④電漿清潔：用於去除腔體內的沉積物與晶圓表面的有機污染。
電漿產生的代表性方式有「CCP（電容耦合電漿）」與「ICP（電感耦合電漿）」。CCP（Capacitively Coupled Plasma）是在相對電極間施加 RF 功率的簡單結構，可獨立控制離子能量與電漿密度的「雙頻 CCP」是主流。ICP（Inductively Coupled Plasma）以 RF 線圈的感應電磁場產生電漿，可在低壓下實現高密度電漿（10¹¹～10¹²cm⁻³），適用於高深寬比蝕刻與原子層蝕刻（ALE）。
電漿控制的精度要求隨微縮愈趨嚴格。在先進邏輯（GAA/FinFET 閘極加工、EUV 硬遮罩蝕刻等）中，離子入射角、能量分布與自由基通量的均勻性直接影響良率。以電漿診斷技術（OES：光學發射光譜、QMS：四極質譜分析）進行即時終點偵測（EPD），以及運用機器學習進行製程最佳化，正逐漸成為標準做法。
電漿相關設備市場方面，科林研發（Lam Research）、應用材料（Applied Materials）、東京威力科創（TEL）3家公司合計占全球前段製程設備市場的50%以上。其中科林研發在蝕刻設備市場擁有約39%的市占率。雖然也有「熱 ALD」「濕式蝕刻」等不使用電漿的替代手段，但由於電漿具備低溫處理、高速反應與高選擇性等特點，預期其在先進製程中的重要性今後仍將持續提升。