最後更新:2026年10月8日離子佈植・熱處理離子佈植・熱處理中國大陸:注入室(终端台)

佈植腔(End Station)是什麼

End Station

佈植腔(End Station)是離子佈植機中固定晶圓並實際打入離子的部分。透過離子束掃描或晶圓移動,在整片晶圓上均勻佈植,並以晶圓的傾斜與旋轉避免通道效應。以法拉第杯量測電流來控制佈植劑量,並以電漿泛射槍防止晶圓帶電。

目錄4 項
  1. 定義與原理
  2. 常見問題
  3. 相關用語
  4. 比較文章

定義與原理

佈植腔(End Station,終端站)是指離子佈植機中固定晶圓、實際打入離子束的部分。離子佈植機依序由產生離子的離子源、只篩選目標離子的質量分析部、將離子加速・整形的束線(beam line),以及對晶圓進行佈植的終端站所構成。終端站保持真空,透過真空預抽室(load lock)送入與取出晶圓,並將完成佈植的晶圓送回傳送系統。

終端站的任務是將規定量(劑量)的離子均勻打入整片晶圓。由於離子束的截面比晶圓小,因此會以電氣・磁場方式偏轉離子束(掃描)、以機械方式移動晶圓,或兩者並用,對整片晶圓進行佈植。過去主流是將大量晶圓排在旋轉圓盤上一次處理的批次式,現在則以每次處理1片的單片式為主。晶圓固定在靜電吸盤等平台(platen)上,冷卻佈植中產生的熱,並精密控制晶圓的傾斜與旋轉角度,以避免因晶體方向造成的通道效應。

劑量管理與帶電對策也是終端站的重要功能。以放置在晶圓附近的法拉第杯量測離子束電流,並依時間積分來控制佈植劑量。持續打入正離子會使晶圓上的絕緣膜或光阻帶電,可能破壞薄閘極氧化層,因此配備了照射低能量電子以抵消電荷的電漿泛射槍(plasma flood gun)。光阻釋出氣體造成的真空度變化也會導致劑量誤差,因此同樣須加以管理。

佈植腔(End Station)的常見問題

離子佈植機由哪些部分構成?
由產生離子的離子源、只篩選目標質量離子的質量分析部、將離子加速・整形的束線,以及將離子打入晶圓的終端站(佈植腔)構成。終端站配備了晶圓傳送系統、真空預抽室以及量測佈植劑量的機構。
終端站如何管理佈植劑量?
以放置在晶圓附近的法拉第杯量測離子束電流,再依時間積分求出打入的離子數(劑量)。達到規定量後即停止佈植。同時調整離子束的掃描與晶圓的移動方式,維持整片晶圓佈植劑量的均勻性。

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