摩爾定律（Moore's Law）是英特爾共同創辦人戈登・摩爾於 1965年提出的經驗法則，觀察到「半導體晶片的電晶體數約每2年增加為2倍」。這條定律在約50年間一直是半導體產業技術路線圖的指引，使每1個電晶體的成本呈指數下降。從 Intel 4004（1971年・2300個電晶體）到 NVIDIA B200（2025年・2080億個電晶體），電晶體密度已提升約1800萬倍。
摩爾定律「終結」之所以受到討論，原因在於矽的物理極限。隨著電晶體閘極長度縮小到 5nm、3nm、2nm，量子穿隧造成的漏電流增加、數個原子等級的摻雜物擾動、庫倫阻塞效應等量子效應變得顯著。此外，功耗密度（W/mm²）急增，時脈頻率的微縮（登納德縮放定律）早在 2005年左右就已失效。因此業界正以 3D 堆疊、小晶片、新材料與新元件結構作為「摩爾定律的替代方案」進行探索。
支撐摩爾定律的主要技術革新歷史：平面 MOSFET（～90nm）→應變矽（90～45nm）→High-k／金屬閘極（45nm～）→FinFET（22nm～）→多重圖案化（10nm～）→EUV 曝光（7nm～）→GAA／奈米片（2nm～）。每項技術革新都跨越了微縮的障礙，讓實質的電晶體密度持續提升。
「More than Moore（超越摩爾定律）」的做法正在興起。這是透過 2.5D／3D 先進封裝（CoWoS・小晶片）堆疊晶粒，在不進行製程微縮的情況下提高每單位矽面積功能密度的方向。此外，結合矽光子、化合物半導體（GaN・SiC）、2D 材料（MoS₂ 等）的異質整合也在研究中。
對投資人與分析師而言，摩爾定律是預測資本支出週期的基準。每2年一次的世代交替（節點微縮）產生設備與材料的汰換週期，半導體產業的資本支出已達每年超過 1000億美元的規模。「只要摩爾定律持續」，設備需求就會持續成長；但因微縮極限而越需要 GAA、BSPDN 這類結構革新，每1片晶圓的製造工程數與使用設備數就越多，進而帶動設備市場單價上升。