最後更新:2026年10月8日製程節點・元件結構晶圓代工中國大陸:台积电 N2 工艺

台積電 N2 製程是什麼

TSMC N2 Process Node

台積電 N2 製程是台積電於 2025年開始量產的 2nm 級邏輯製程節點,首度全面從 FinFET 轉向 GAA(Gate-All-Around)奈米片電晶體。

目錄4 項
  1. 定義與原理
  2. 相關企業
  3. 相關用語
  4. 比較文章

定義與原理

台積電 N2(N2 製程)是台積電於 2025年開始量產的 2nm 級邏輯製程節點。首度全面從 FinFET 轉向 GAA(Gate-All-Around)奈米片電晶體,與 N3E 相比,電晶體密度提升約15%,在相同功耗下速度提升 10~15%,在相同速度下功耗降低 25~30%。據報導,Apple A19(iPhone 17 用)與 Apple M5 系列是 N2 的主要採用產品。

N2 的技術特徵在於 GAA 奈米片電晶體的量產應用。這是由閘極電極從四面包圍片狀超薄矽通道(奈米片,厚度 5~6nm)的結構,可大幅抑制 FinFET 面臨的短通道效應。BSPDN(背面供電網路)在 N2 與衍生版本 N2P 上都不搭載,計畫在 A16 以 Super Power Rail 的形式導入。EUV 曝光的適用層數大幅增加,是每1片晶圓使用 ASML EUV 設備層數最多的製程之一。

台積電的 N2 路線圖由多個版本組成。N2(標準版,2025年量產):首個用於行動裝置與 PC 的 2nm 製程。N2P(P:Performance 強化,2026年):效能優先版,針對需要高時脈運作的 HPC・AI。N2X(X:eXtreme,2026年以後):支援高電壓運作,針對電源 IC 與 I/O。A16(2026年):結合 N2P+BSPDN 的超高效能製程,針對英特爾這類高效能邏輯。各版本的設備配方(recipe)與工程數不同,為 TEL、Lam、Applied Materials 帶來額外需求。

N2 的量產啟動以台灣新竹的 Fab20・Fab25 為中心,熊本第2工廠也計畫進行部分量產。N2 晶圓的基本價格估計為 N3E 的 1.3~1.5倍,是推升台積電平均售價(ASP)的高附加價值製程。台積電 N2 晶圓總產能在 2025年底為月產 3~5萬片,並計畫在 2026年底前擴充到超過 10萬片,伴隨對 EUV 曝光機、ALD/CVD 設備與 CMP 機台的大規模追加投資。

N2 的客戶爭奪戰相當激烈,蘋果、輝達、超微、高通、聯發科都在競相確保 N2 晶圓。N2 的成功是台積電 2025~2027年營收成長的支柱,在三星爭取晶圓代工客戶陷入苦戰之際,台積電 N2 的一枝獨秀成為進一步擴大其晶圓代工市占率的因素。N2 的良率爬坡速度,作為左右 AI 晶片與智慧型手機 SoC 供應穩定性的重要指標,受到業界關注。

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