埃米世代（Angstrom Era）是指半導體製程節點的命名從「奈米（nm）」單位轉向「埃（Å，1Å＝0.1nm）」單位之時代的業界用語。英特爾在2021年發表的藍圖中採用了「Intel 20A（相當於2.0nm）」「Intel 18A（相當於1.8nm）」「Intel 14A（相當於1.4nm）」的命名，使此用語廣為人知。
Intel 18A是該公司重要的技術里程碑，作為全球首度同時結合RibbonFET（英特爾對GAA型奈米片電晶體的稱呼）與PowerVia（背面供電網路＝BSPDN）的製程而備受關注。2024年下半年完成設計定案（tape-out），原本以2025年量產為目標。高通（Qualcomm）與微軟（Microsoft）已表態成為早期採用客戶。
台積電與三星也各自擁有次2nm世代的藍圖。台積電計畫在N2（2025年）之後推出N2P及更先進的A16（相當於1.6nm），並在A16導入稱為Super Power Rail（SPR）的背面供電。三星也在開發繼2nm（SF2）之後的1.4nm（SF1.4）節點。各家命名規則雖不同，但都是埃米世代的一環。
埃米世代製造上最大的課題是圖案化技術。全面導入High-NA EUV（數值孔徑0.55）、多重圖案化的進一步精進，以及抑制邊緣放置誤差（EPE）都不可或缺。此外，電晶體的三維化（CFET、叉型片等）與氣隙介電層的採用等結構創新也同步進行。
轉向埃米世代將為半導體設備與材料產業帶來龐大的投資機會。High-NA EUV設備（每1台約3～4億美元規模）、原子層沉積（ALD）與原子層蝕刻（ALE）設備，以及高階量測設備的需求預期將急速擴大，成為艾司摩爾（ASML）、應用材料、科林研發、東京威力科創、科磊（KLA）等主要設備廠商營收成長的原動力。