PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，電漿輔助化學氣相沉積）是利用 RF 或微波電漿的能量激發、分解原料氣體，在200～400℃這種較低溫度下形成薄膜的 CVD 技術。由於能大幅降低一般熱 CVD 所需的600～900℃製程溫度，即使在已形成耐熱性較低材料的後段步驟也能成膜。
電漿使氣體分子解離、激發，藉此提供化學反應所需的活化能。主要使用電容耦合電漿（CCP）或感應耦合電漿（ICP），透過控制電漿密度、RF 功率、氣體組成與壓力，可在大範圍內調整膜質（折射率、應力、含氫量）。
代表性的沉積材料包括矽氧化膜（SiO₂）、矽氮化膜（SiNx）、矽碳氮化膜（SiCN）、非晶矽（a-Si）、有機 low-k 絕緣膜等，廣泛用作多層內連線製程的層間介電層（ILD）、表面保護膜（鈍化層）與蝕刻硬遮罩。
在先進邏輯（5nm 以下）中，閘極與間隔層材料需要極薄的 SiN/SiCN 膜，膜厚均勻性與膜應力的精密控制不可或缺。此外，3D NAND 製造需以 PECVD 連續沉積數十層的 SiO₂／SiN 堆疊膜，因此兼顧產能與膜質是設備選定的關鍵。
主要設備廠商為應用材料（Producer 系列）、科林研發（ALTUS、Vector 系列）、東京威力科創（Telindy 系列）。降低電漿損傷（高能離子對基板造成的損傷）、低溫化、提升 film conformality（階梯覆蓋率）是各家的技術競爭重點。