電漿蝕刻（Plasma Etching）是在真空腔體內產生電漿，利用電漿中的活性物種（自由基、離子）去除晶圓表面材料的蝕刻方法總稱。有時也作為廣義用語，泛指包含RIE（反應性離子蝕刻）在內的整體乾式蝕刻技術。
電漿蝕刻最大的特點，是可透過調整電漿條件，在廣泛範圍內控制蝕刻的非等向性、選擇比與速率。藉由改變電漿源（CCP、ICP、微波ECR）、氣體壓力、RF偏壓功率、氣體組成、流量與溫度，可對應各種材料、圖案形狀與尺寸的要求。
主要適用材料與代表性蝕刻氣體的例子：矽（Si）使用SF₆/Cl₂/HBr，矽氧化膜（SiO₂）使用C₄F₈/CF₄/CHF₃系氟碳化合物，矽氮化膜（SiN）使用CHF₃/CF₄系，鎢（W）使用SF₆/Cl₂，銅（Cu）使用Cl₂/N₂，多晶矽（Poly-Si）使用Cl₂/HBr/O₂系等。
先進節點最重要的技術課題，是控制「微負載效應」（因圖案密度造成的蝕刻速率不均）、「ARDE（Aspect Ratio Dependent Etching）」（深寬比增加導致蝕刻速率下降），以及「缺口效應（notching）、弓形（bowing）」（側壁形狀變形）。為克服這些問題，脈衝電漿、溫度控制與新型蝕刻劑的開發持續推進。
ALE（Atomic Layer Etching，原子層蝕刻）是以每次去除1個原子層的方式精密蝕刻的次世代電漿蝕刻技術，已逐步實用化於GAA奈米片形成（選擇性去除SiGe）、High-k閘極金屬蝕刻，以及EUV後的圖案精修（EUV圖案修正）等。設備廠商方面，科林研發（Lam Research）、東京威力科創（TEL）與應用材料（Applied Materials）在市場上居領先地位。