薄膜沉積設備是什麼

薄膜沉積設備是在晶圓表面形成絕緣膜、導電膜、半導體膜等薄膜的前段製程重要設備，膜厚從數百奈米到原子等級。方法包括 CVD（化學氣相沉積）、PVD（物理氣相沉積）、ALD（原子層沉積）、磊晶成長等，依目標膜質及所需的階梯覆蓋率（step coverage）分別使用。近年隨著微縮與 3D 結構化（3D NAND、FinFET 等）的進展，在複雜立體結構上形成均勻且極薄薄膜的技術需求急遽升高。沉積後的薄膜經過曝光機與蝕刻設備的圖案化處理，構成微細電路，從根本上支撐元件的電氣特性與可靠度。

細分類 11 類

主要細分類

•ALD 設備
•CVD 設備
•電鍍設備（電解鍍銅）
•磊晶成長設備
•LPCVD（低壓 CVD）
•MBE 設備（分子束磊晶）
•MOCVD 設備
•PECVD（電漿 CVD）
•PVD 設備
•濺鍍設備
•真空蒸鍍設備

重點整理

在晶圓表面以奈米至原子等級形成絕緣膜、導電膜等薄膜

CVD、PVD、ALD 等多種方法，依薄膜用途與規格要求分別使用

隨著元件 3D 結構化，對複雜階梯進行均勻的共形（conformal）沉積不可或缺

與曝光、蝕刻製程搭配，決定元件的電路圖形與電氣特性

相關用語

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前段製程設備的其他分類

清洗設備是在半導體製造製程中去除晶圓表面微粒（微粒子）、金屬雜質、有機物、原生氧化層等汙染物質，使用頻率最高的重要前段製程設備。

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檢測設備是偵測晶圓製程各步驟所產生的缺陷，以提升良率並確保品質的設備群。

離子佈植機

離子佈植機是將雜質離子（硼、磷、砷等）以高能量打入矽等半導體基板，精密控制電晶體源極、汲極、井區的導電型與濃度的前段製程關鍵設備。

曝光機（微影設備）是利用光將光罩（reticle）上的電路圖形轉印至晶圓上光阻的設備群。

光罩製造設備

光罩製造設備（光罩／reticle 製造設備）是製造、檢測與修補半導體曝光製程所用光罩（reticle）的設備群。

量測設備是精密測量晶圓製程中圖形尺寸、膜厚、疊對（位置偏移）等數值的設備群。

熱處理設備

熱處理設備是將半導體晶圓加熱至高溫（約 200～1100°C），進行雜質活化、氧化膜形成、矽化物形成、退火（晶格缺陷修復）等熱反應的前段製程重要設備群。

所屬主題

薄膜沉積（CVD/PVD/ALD）（主題）

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