自對準雙重圖案化（SADP：Self-Aligned Double Patterning）是在 1 次曝光形成的核心圖案側壁沉積間隔物（spacer）膜並進行回蝕，藉此形成密度為解析極限 2 倍之線條圖案的多重圖案化技術。透過去除核心、只留下間隔物的「以間隔物作為遮罩」做法，不是靠曝光，而是以自對準製程將間距減半。
SADP 之所以重要，是因為它能形成超越 DUV（ArF 浸潤式）曝光機解析極限（半間距約 38nm）的圖案。作為 10nm～5nm 節點的量產技術，被應用於 FinFET 閘極間距・金屬導線・DRAM 字元線・3D NAND 的許多層。微縮再進一步時，也會使用以 SAQP（自對準四重圖案化）將間距縮為 1/4 的技術。
SADP 製程需要一連串步驟：核心材料的沉積・微影・蝕刻、間隔物材料（氧化矽等）的 ALD 成膜、非等向性回蝕（形成間隔物）、去除核心。各步驟的尺寸精度（CD 均勻性、間隔物厚度均勻性）決定最終的圖案品質，因此 ALD 設備・蝕刻設備・量測設備（CD-SEM）之間的協同不可或缺。
SADP 的主要優點是能精密形成 L/S（線條-間距）圖案，但切割・晶片端圖案需要另外進行微影（切割光罩）。因此在 EUV 曝光機普及之後，結合 SADP 與 EUV 的混合圖案化策略仍是主流。台積電的 N3 製程在主要金屬層結合了 EUV+SADP。
從設備・材料的角度來看，艾司摩爾的浸潤式掃描機（NXT:2100i 等）、科林研發的蝕刻機・ALD 設備、應用材料的成膜設備、科磊的 CD-SEM・疊對量測設備支撐著 SADP 製程。對間隔物材料的均勻性要求（1σ 在 0.1nm 以下）已逼近設備性能的極限。