OPC（Optical Proximity Correction，光學鄰近效應修正）是在半導體微影步驟中，為事先修正光的繞射與干涉所造成的圖形變形（光學鄰近效應），而修改光罩設計資料的技術。即使將理想圖形原封不動地畫在光罩上，曝光時的光學變形也會使晶圓上的線端變圓或線寬改變。OPC 會預測這些變形，並刻意改變光罩圖形，以提高晶圓上的轉移精度。
光學鄰近效應的主要原因，是繞射光干涉造成強度分布不均。鄰近圖形的間距與密度會使局部曝光量改變，即使光罩尺寸相同，孤立圖形與密集圖形的轉移線寬也會不同。OPC 以模型化模擬預測各圖形的轉移結果，並加入輔助圖形（SRAF：Sub-Resolution Assist Feature）或微調輪廓來抵銷這些偏差。
OPC 的運算規模非常龐大，最先進晶片每1片光罩需處理數百 GB 的資料，要在使用數千個 CPU 核心的伺服器叢集上花費數十小時運算。近年來，機器學習與 AI 的預測模型已被整合進 OPC 引擎，以提升運算精度並縮短時間。
OPC 作為微影製程最佳化（LPO）的一部分，與 SMO（Source Mask Optimization：光源形狀最佳化）、ILT（Inverse Lithography Technology：反向微影技術）等技術搭配使用。即使在 EUV 曝光中（雖然波長短、解析度高），OPC 仍然重要，也需要修正光罩3D 效應（光罩凹凸所引起的波前像差）。
OPC 軟體的主要供應商為新思科技（Proteus OPC）與 Siemens EDA（Calibre OPC），2家獨占市場，並深度整合於半導體設計流程中。OPC 是光罩資料準備（DP computing）的核心技術，微縮越推進，其重要性與運算成本就越高。