光阻（Resist）是在半導體微影製程中，受光（紫外光・EUV 等）部分的溶解性會改變的感光性有機薄膜材料，也稱為 photoresist。以旋轉塗佈法均勻塗在晶圓表面後，進行曝光・顯影以形成電路圖案，再作為後續蝕刻或佈植製程的遮罩（保護層）。圖案形成後以灰化或剝離液去除。
光阻分為「正型」與「負型」。正型光阻的曝光部分會溶於顯影液而轉印出圖案（曝光部分被去除）。負型光阻的曝光部分因交聯反應而硬化，未曝光部分溶解。現代的先進製程（KrF・ArF・EUV）幾乎都以正型為主流。此外，化學放大型光阻（CAR：Chemically Amplified Resist）是由少量的光酸產生劑（PAG：Photo Acid Generator）在曝光時產生酸，再於 PEB（曝光後烘烤）中使酸催化反應連鎖進行，大幅提高感度的現代主流方式。
光阻的主要性能指標有：① 解析度（Resolution）：可形成最小圖案尺寸的能力；② 感度（Sensitivity）：形成圖案所需的曝光量（mJ/cm²）；③ LWR/LER（線寬粗糙度/線邊緣粗糙度）：圖案邊緣的平滑程度；④ 抗蝕刻性：電漿蝕刻時的遮罩消耗量；⑤ PEB 溫度敏感度：對烘烤溫度的依存性。存在稱為「RLS（Resolution-LWR-Sensitivity）取捨」的課題，解析度・LWR・感度處於難以同時改善的取捨關係。
EUV 光阻有其特殊的課題。EUV 光（13.5nm：每 1 個光子的能量為 92eV）每 1 次曝光（shot）的光子數只有 ArF 的 1/14，因此統計擾動（散粒雜訊）大，是 LWR 惡化的主因。為了解決此問題，正在開發金屬氧化物光阻（MOR：Metal-containing Resist，鉿・鋯系的無機光阻）。MOR 作為可同時改善感度・LWR・解析度三者的候選而受到矚目，Inpria、信越化學、JSR 等正在推進開發。
光阻主要廠商：JSR（日本）在 EUV・ArF 光阻擁有全球最高市占率，信越化學工業・東京應化工業（TOK）・富士軟片・默克（Merck，德國：前 EMD Performance Materials）・Shin-Etsu 為主要供應商。特別是 JSR・信越化學・TOK 這 3 家日本企業據稱占全球 ArF・EUV 光阻市場約 80%，顯示了日本半導體材料產業的優勢。與塗佈・顯影設備（SCREEN Semiconductor Solutions・東京威力科創（TEL））結合的供應鏈，共同支撐著微影製程。