濺鍍（Sputtering）是物理氣相沉積（PVD）的代表性方法之一。在真空腔體內將氬（Ar）等惰性氣體電漿化，使產生的離子以高能量撞擊靶材（金屬或化合物）。撞擊時被撞出的原子、分子附著在晶圓表面，形成薄膜。
主要的濺鍍方式包括：使用直流電源的 DC 濺鍍（適用導電性靶材）、使用射頻電源的 RF 濺鍍（適用絕緣性靶材），以及在靶材背面放置磁鐵以提高電漿密度的磁控濺鍍。磁控方式沉積速率高，是目前半導體製造的主流。
代表性用途為形成導線金屬（鋁、銅晶種層）、阻障金屬（鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭）、接觸窗材料（鎢的附著層）等。特別是在鑲嵌（damascene）銅導線製程中，TaN/Ta 阻障層及其上方銅晶種層的濺鍍是不可或缺的步驟。
與 CVD（化學氣相沉積）相比，濺鍍可在低溫（室溫～300℃左右）下成膜，具有膜純度高、附著力強的優點。另一方面，對高深寬比孔洞或溝槽內部的覆蓋性（階梯覆蓋率）不如 CVD 或 ALD，因此隨著微縮推進，部分用途正逐步改用 ALD。
在先進節點中，採用離子化 PVD（i-PVD）與高功率脈衝磁控濺鍍（HiPIMS）等高指向性濺鍍技術，以提升在深通孔內的成膜性能。主要設備廠商為應用材料（Endura 系列）、Canon Anelva等。