薄膜沉積（CVD / ALD / PVD）用語一覽
涵蓋化學氣相沉積（CVD）、原子層沉積（ALD）、物理氣相沉積（PVD）、磊晶與電鍍等形成薄膜的技術。絕緣層、導電層與各種功能層都由薄膜沉積製作，膜質、膜厚均勻性與階梯覆蓋率是主要課題。
薄膜沉積（CVD / ALD / PVD）的用語（32 個）
- 化學氣相沉積（CVD）CVD（化學氣相沉積）是將前驅物氣體導入腔體，以熱、電漿、光的能量使其發生化學反應，在晶圓表面沉積薄膜之薄膜沉積技術的總稱。可應用於絕緣膜、半導體膜乃至金屬膜等廣泛材料，依加熱方式…
- ALD 設備（原子層沉積設備）ALD 設備是在量產線上執行 ALD（原子層沉積）的薄膜沉積設備。每 1 個循環只能沉積約 0.3～2Å 的膜，因此方式（單晶圓式・空間分割式・批次式）的選擇會大幅左右產出量與成本…
- CVD 設備（化學氣相沉積設備）CVD 設備（化學氣相沉積設備）是執行化學氣相沉積（CVD）製程的半導體製造設備，將原料氣體導入腔體，以熱、電漿、光等能量引發化學反應，在晶圓表面均勻沉積各種薄膜材料。
- 濺鍍濺鍍是物理氣相沉積（PVD）的代表性方法之一，在真空腔體內將氬等惰性氣體電漿化，使離子高能量撞擊靶材，被撞出的原子、分子附著在晶圓表面形成薄膜。
- PVD（物理氣相沉積）PVD（物理氣相沉積）是以蒸發、濺鍍等物理過程使固體材料氣化，並在晶圓表面沉積薄膜的成膜技術總稱，適合形成高純度金屬膜。
- ALD（原子層沉積）ALD（原子層沉積）是利用自我限制的表面反應，一點一點堆疊薄膜的成膜技術。前驅物覆滿表面後反應會自動停止（自我飽和），因此每1個循環的成長量固定在約0.3～2Å（不到1個原子層），…
- PECVD（電漿輔助化學氣相沉積）PECVD（電漿輔助化學氣相沉積）是利用 RF 或微波電漿的能量激發、分解原料氣體，在200～400℃的較低溫度下形成薄膜的 CVD 技術。
- LPCVD（低壓化學氣相沉積）LPCVD（低壓化學氣相沉積）是在約10～100Pa 的減壓環境下引發化學反應，於晶圓表面沉積高品質薄膜的 CVD 技術，可一次批次處理大量晶圓並獲得均勻的膜厚。
- MOCVD（有機金屬化學氣相沉積）MOCVD（有機金屬化學氣相沉積）是以有機金屬化合物與氫化物為原料氣體，在基板上成長 III-V 族化合物半導體高品質磊晶薄膜的 CVD 技術，是 LED、雷射二極體、高頻元件等製…
- High-k 介電質High-k 介電質是以介電常數較高（k>10）的材料取代傳統矽氧化膜（SiO₂，k≈3.9）作為閘極絕緣膜的技術，代表材料為二氧化鉿（HfO₂）。
- Low-k介電材料（低介電常數材料）Low-k介電材料（低介電常數材料）是用於多層內連線層間介電層（ILD）、介電常數低於SiO₂（k≈3.9）的材料總稱，可降低導線間的寄生電容，減少RC延遲與功耗。
- 鐵電氧化鉿（HZO）鐵電氧化鉿（HZO）是在氧化鉿（HfO₂）中摻雜氧化鋯（ZrO₂）等而產生鐵電性的薄膜材料，與CMOS製程完全相容且不含鉛，是次世代非揮發性記憶體與邏輯元件的重要材料。
- 金屬閘極材料（TiN/TaN）金屬閘極材料（TiN/TaN）是用作MOSFET閘極電極的金屬或金屬氮化物薄膜總稱，與High-k閘極介電層組合成HKMG堆疊，是先進邏輯製程不可或缺的技術。
- 阻障金屬層阻障金屬層是形成於銅導線周圍的極薄金屬層，可防止銅擴散至層間介電層或矽中，同時確保附著性。銅在矽中擴散極快，會使電晶體特性嚴重劣化，因此鑲嵌結構的可靠度由阻障金屬層來確保。代表材料…
- 高介電係數金屬閘極（HKMG）高介電係數金屬閘極（HKMG）是以高介電係數材料（主要為 HfO₂ 系）作為閘極絕緣膜、以金屬材料（TiN・TaN 系）作為閘極電極的組合製程技術總稱。2007年由英特爾在 45n…
- 等效氧化層厚度（EOT）等效氧化層厚度（EOT）是將閘極絕緣膜的電性厚度換算成 SiO₂ 來表示的指標。物理膜厚相同時，相對介電常數（k 值）越高，EOT 就越小，是在最大化 MOSFET 閘極電容的同時…
- 取代式金屬閘極（RMG）取代式金屬閘極（RMG）是在源極・汲極活化退火之後才形成閘極的「Gate-Last（後閘極）」製程。先以多晶矽形成虛設閘極，完成源極・汲極處理後去除多晶矽，再填入 High-k/M…
- 功函數金屬（WF Metal）功函數金屬（WF Metal）是為了控制 MOSFET 的臨界電壓（Vth）而插入閘極堆疊中的金屬薄膜層。在 HKMG 結構中，指形成於閘極絕緣膜（HfO₂）上方的金屬閘極當中，專…
- 閘極堆疊閘極堆疊是指構成 MOSFET 閘極結構的整個薄膜堆疊體。現代先進邏輯的標準 HKMG 閘極堆疊，從 Si 基板側依序由界面層（SiON）、High-k 介電質（HfO₂ 系）、功…
- ECD（電鍍・電化學沉積）ECD（電鍍・電化學沉積）是在電鍍液中以晶圓為陰極通電，使金屬離子還原析出以形成金屬膜的薄膜沉積技術。
- 層間介電層（ILD）層間介電層（ILD）是在多層內連線中，將各金屬導線層之間電性絕緣的膜層。在防止上下或相鄰導線短路的同時，負責將導線間的寄生電容維持在低水準。隨著微縮使導線間距縮小，電容造成的延遲成…
- 階梯覆蓋率（Step Coverage）階梯覆蓋率（step coverage）是表示在薄膜沉積製程中，薄膜對晶圓表面凹凸能附著得多均勻的指標。溝槽或孔洞的頂部、側壁與底部膜厚越一致，階梯覆蓋率越好，稱為共形（confo…
- 旋塗玻璃（SOG）旋塗玻璃（SOG）是將溶有氧化矽前驅物的液體滴在晶圓上，以高速旋轉（旋轉塗佈）薄而均勻地塗開，再加熱、固化形成 SiO₂ 膜的成膜方法。由於是塗上液體後固化，能自然填平凹凸，適合平…
- NSG（無摻雜矽玻璃）NSG（無摻雜矽玻璃）是不添加硼或磷、以 CVD 法沉積的氧化矽（SiO₂）膜，也稱為 USG。由於可在 400℃ 左右以下沉積，在金屬連線形成後的製程中也能使用，用於層間介電層・…
- 接縫（Seam）接縫（Seam）是以薄膜填充溝槽或孔洞時，從兩側壁成長的膜在中央相接所形成的接合線。與開口先封住而殘留空洞的孔洞（void）不同，外觀上看似已填滿，但界面脆弱，會在後續蝕刻、清洗或…
- 懸突（Overhang）懸突（Overhang）是在溝槽或孔洞上沉積薄膜時，開口上端沉積過厚的膜像屋簷一樣向內側突出的狀態。主要發生於濺鍍等 PVD，因斜向飛來的原子集中在肩部而形成。會使溝槽底部與側壁的…
- 鈍化（保護層）鈍化（Passivation）是指使表面處於化學上・電性上不活潑的狀態以加以保護。在半導體領域主要指以氮化矽或聚醯亞胺的保護膜覆蓋晶片最上層，保護導線與元件免受水分・可動離子・刮傷…
- 氧化層（二氧化矽膜）氧化層在半導體領域主要指二氧化矽膜（SiO₂），是能隙約9eV的優異絕緣膜。分為在氧化爐中以800～1200℃氧化矽而成的熱氧化層，以及以TEOS等為原料在400℃左右沉積的CVD…
- 絕緣膜（介電層）絕緣膜是不導電的薄膜，在半導體中用於電性隔離導線之間或電晶體電極之間。材料有SiO₂・SiN・high-k・low-k等，閘極絕緣層的介電常數越高越有利，層間介電層則為了降低導線間…
- BPSG・PSG（硼磷矽玻璃）BPSG（硼磷矽玻璃）是在氧化矽中各加入數%硼與磷的玻璃膜，只加入磷的則稱為PSG。在800～900℃左右的熱處理下會流動，使段差變得平緩，因此一直用於金屬導線形成前的層間介電層（…
- 化學計量組成（化學計量比）化學計量組成是指構成化合物的元素比例符合化學式整數比的狀態，Si₃N₄為3比4，SiO₂為1比2。半導體薄膜的組成容易因成膜方法而偏離，進而改變折射率・蝕刻速率・絕緣性・應力，因此…
- 前驅物（Precursor）前驅物是以CVD或ALD形成薄膜時作為原料使用的化合物。將含有欲沉積元素的分子以氣態送入腔體，以熱或電漿使其分解、反應而留下薄膜。包括矽烷、TEOS、WF₆、TMA、有機鉿化合物等…
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最後更新：2026年10月8日