懸突（Overhang）是在溝槽或孔洞上沉積薄膜時，開口上端（肩部）的膜沉積過厚，像屋簷一樣向內側突出的狀態。英文意為「突出」，與登山時指頭頂上方突出岩壁的是同一個詞。在半導體中主要是濺鍍等 PVD（物理氣相沉積）的問題，有時也用來指光阻圖案截面上寬下窄的形狀。
懸突之所以形成，是因為被濺出的原子從各種角度飛來。開口肩部可從上方與斜向接收原子，相對地，溝槽底部與側壁下部只能接收從開口可見的狹窄方向範圍內的原子。結果肩部沉積較多膜，突出的膜又進一步形成陰影，減少往內部的供應（遮蔽效應，shadowing effect）。懸突持續惡化時，溝槽底部與側壁的膜變薄，階梯覆蓋率（step coverage）變差，最後開口被封住，內部封入孔洞。
在銅導線中，先以 PVD 在溝槽內沉積阻障金屬與晶種層，再以電鍍填入銅。此時若晶種層有懸突，開口就會變窄，電鍍無法完全填滿而殘留孔洞。對策包括：將濺出的原子離子化、以基板偏壓垂直吸引的離子化 PVD，以離子削除肩部的膜並使其轉移到底部的再濺鍍，以及拉開靶材與基板距離以減少斜向成分的長距濺鍍（long throw sputtering）等。在微細孔洞中，以能順著形狀均勻沉積的 ALD 形成襯層的方法也逐漸普及。