SiCma 是 PVA TePla 以昇華法（PVT：物理氣相傳輸）進行長晶的設備。將原料在高溫下昇華，使其在晶種上再結晶，以成長 SiC 等單晶晶錠。
支援最大 12 吋的長晶，以精巧設計追求高品質量產。最高使用溫度為 2,400°C，壓力範圍為 1～900mbar，加熱頻率為 6～10kHz。特點是高再現性、重視良率的品質標準，以及靈活的上下料自動化。
可成長 3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC 各多型，以及氮化鋁（AlN）。渦輪分子幫浦、線圈升降、熱場旋轉、上下輻射溫度計、氫氣供應管路等可選配，也支援個別客製化。占地面積為 1,200×2,500mm，高度低於 3,500mm，重量約 1,850kg。