SiCmaとは
SiCma は、PVA TePla の昇華法（PVT：物理気相輸送）による結晶成長装置です。原料を高温で昇華させ、種結晶の上に再結晶させることで、SiC などの単結晶インゴットを育てます。
最大 12 インチまでの結晶成長に対応し、コンパクトな設計で高品質な量産を狙います。最高使用温度は 2,400°C、圧力範囲は 1〜900mbar、加熱の周波数は 6〜10kHz です。高い再現性と、歩留まりを意識した品質基準、柔軟なロード・アンロードの自動化を特長とします。
3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC の各ポリタイプと、窒化アルミニウム（AlN）を成長できます。ターボ分子ポンプ、コイルリフト、ホットゾーンの回転、上下の放射温度計、水素供給ラインなどをオプションで選べ、個別のカスタマイズにも対応します。設置面積は 1,200×2,500mm、高さ 3,500mm 未満、重量は約 1,850kg です。
主な特長
- •PVT 法、最大 12 インチの結晶成長
- •最高 2,400°C、1〜900mbar
- •4H／6H／3C-SiC と AlN に対応
- •ホットゾーン回転・放射温度計などのオプション
主な仕様
| 成長方式 | PVT（昇華再結晶法・約 2,300 ℃） |
|---|---|
| 結晶径 | 4 ～ 8 インチ |
| 主要用途 | SiC 単結晶ブールの量産 |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •SiC 単結晶インゴットの量産
- •AlN 結晶の成長
掲載カテゴリ
SiCmaは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
PVA TePla
結晶成長装置と超音波検査装置のドイツ系メーカー。シリコンのCZ引き上げ炉、SiC・AlNのPVT（昇華）成長炉、真空炉、超音波非破壊検査装置を手掛ける。
関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日：2026-10-06