單晶生長設備（CZ/FZ 拉晶）是什麼

單晶生長設備是將多晶矽原料熔融，從晶種成長出無缺陷單晶晶棒的設備。代表性的柴可拉斯基法（CZ 法）從石英坩堝內的熔液旋轉拉出晶體，浮區法（FZ 法）則不使用坩堝而得到高純度晶體。拉晶速度、溫度梯度、施加磁場的控制，決定氧濃度、電阻率與晶格缺陷（COP），是晶圓品質的起點。

重點整理

CZ 法：從石英坩堝的熔液旋轉拉出晶種——量產矽的主流

FZ 法：無坩堝、高純度、高電阻率——用於功率半導體

以拉晶速度、溫度梯度、磁場（MCZ）控制氧濃度與缺陷密度

SiC 單晶以昇華法（PVT）成長，作為難加工材料需求擴大

CZ 法與 FZ 法有何不同？

CZ 法是從石英坩堝內的熔液拉出晶體、適合量產的方式；FZ 法則是不使用坩堝、使熔區移動的方式。FZ 法雜質少，可得到高電阻率晶體，用於功率半導體等。

決定單晶晶棒品質的因素有哪些？

拉晶速度、熔液的溫度梯度、轉速、施加磁場（MCZ）等，左右氧濃度、電阻率與晶格缺陷（COP）。

化合物半導體基板製造設備是製造 SiC、GaN、GaAs、InP 等矽以外之半導體基板並進行沉積的設備群。

雙面拋光設備（DSP）是以上下研磨盤同時拋光晶圓正反兩面，做出高平坦度與平行度的設備。

晶圓基板檢測設備是針對投入元件製程前的鏡面晶圓，檢測表面異物、刮傷、LPD（光點缺陷）、形狀、電阻率等的設備群。

晶圓邊緣拋光設備是拋光經倒角（bevel）加工之晶圓外周部，去除邊緣粗糙與微裂紋的設備。

晶圓拋光與倒角設備是將切片後的晶圓表面鏡面化、整修邊緣之精加工製程的設備群。

切片設備是將成長完成的單晶晶棒切成薄晶圓的設備。