当サイトでの位置づけ
マスク装置クラスターでは、フォトマスクブランク(EUV・ArFマスク基板)の主要サプライヤーとして位置づけられます。マスク描画・マスク修正の素材起点を担う材料企業です。
企業の強み
EUV・ArF液浸用フォトマスクブランクで世界トップクラスのシェア
超高純度合成石英ガラス基板の製造技術で高い障壁
マスクブランク欠陥管理・品質保証の高度なノウハウ
医療・光学・情報技術との複合技術基盤
主要製品・ソリューション
マスクブランク
- •EUV用マスクブランク(Mo/Si多層膜)
- •ArF用ハーフトーン位相シフトマスクブランク
- •クロムマスクブランク
合成石英基板
- •フォトマスク用超高純度合成石英ガラス基板
- •LTEM(超低熱膨張)基板
HOYAの製品
製品分野・業態
関連装置カテゴリ
半導体製造装置メーカーの世界シェア&カオスマップ
ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、HOYAを含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。
関連用語
同じトピックの用語
先端半導体材料(前駆体・マスク・ボンディング)・パターニング・マスク・レジスト のトピックで関連する用語です。
同じトピックの企業
比較・違いを学ぶ
ALDとCVDの違い(原子層成膜 vs 化学気相成膜)
CVD(Chemical Vapor Deposition)は反応ガスを同時供給して連続的に成膜するのに対し、ALD(Atomic Layer Depositi…
シングルパターニングとマルチパターニングの違い
露光装置の解像度には物理的な限界(回折限界)があり、1回の露光ではそのままでは形成できない微細パターンを実現するために開発されたのがマルチパターニング技術です。…
ポジ型レジストとネガ型レジストの違い(フォトレジストの比較)
フォトレジストは露光で溶解特性が変化する感光性材料で、ポジ型は露光部が現像液に溶け(マスクの透過部がパターンとして残る逆)、ネガ型は露光部が硬化して残り未露光部…
ナノインプリントとEUVの違い(次世代リソグラフィ比較)
ナノインプリントリソグラフィ(NIL)とEUV露光はいずれも半導体製造における微細化を実現するリソグラフィ技術ですが、パターン転写の原理が根本的に異なります。E…
EUV露光装置とDUV露光装置の違い
いずれもフォトレジスト上に回路パターンを転写する露光装置ですが、光源の波長と装置構成が根本的に異なります。EUVは13.5nmの極紫外線で単一露光による微細化が…
化学増幅型レジストとメタルオキサイドレジストの違い
EUV露光の微細化が進むにつれて、レジストの材料が大きな課題になっています。長く主流だった化学増幅型レジストに対し、金属の酸化物を使うメタルオキサイドレジストが…
HOYA のご担当者様へ
このページの掲載内容を貴社で管理できます(企業ページの認領)。情報の修正は無料、詳細掲載や資料掲載は有料プランでご利用いただけます。
※ 税別。有料プランは最低3ヶ月から。 プランの詳細を見る