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OBARAグループ

シリコンウェハの両面研磨・エッジ研磨装置を手掛ける国内装置メーカー。溶接機事業を祖業とし、精密研磨技術を半導体ウェハ加工分野に展開する。

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当サイトでの位置づけ

Semirai のウェハ製造装置カテゴリでは、両面研磨・エッジ研磨装置の国内メーカーとして位置づけられます。

企業の強み

ウェハ両面研磨・エッジ研磨に強み
精密機械加工技術の長年の蓄積
半導体・関連産業への幅広い供給実績

主要製品・ソリューション

研磨装置

  • 両面研磨装置
  • エッジポリッシャー

📊 半導体製造装置メーカーの世界シェア&カオスマップ

ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、OBARAグループを含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。

関連用語

シリコンウェハとは →CMP(化学機械研磨)とは →

同じトピックの用語

CMP・平坦化 のトピックで関連する用語です。

CMPとは →CMPスラリーとは →研磨パッド(CMPパッド)とは →パッドコンディショニングとは →リテーナリングとは →研磨ヘッド(キャリアヘッド)とは →メタルCMP(Cu・W研磨)とは →酸化膜CMP(STI-CMP・ILD-CMP)とは →

同じトピックの企業

Applied Materials米国荏原製作所日本岡本工作機械製作所日本KCTech(ケーシーテック)韓国CMCマテリアルズ(Cabot Microelectronics)米国フジミインコーポレーテッド日本

比較・違いを学ぶ

Cu-CMPとW-CMPの違い(メタルCMPの比較)
メタルCMPは、配線を作るための「余分な金属を削り落とす」工程です。銅ダマシン配線の余剰Cu除去と、コンタクトプラグのタングステン除去という二大用途がありますが
セリアスラリーとシリカスラリーの違い(CMP砥粒の比較)
CMPスラリーの性能を決めるのは砥粒だけではありませんが、砥粒種の選択はプロセスの性格を大きく規定します。セリアとシリカは、同じ「ナノ粒子を分散させた研磨液」で
CMPとエッチバックの違い|平坦化手法を比較
どちらもウェハ表面を平坦化する技術ですが、メカニズムが根本的に異なります。CMPは研磨剤(スラリー)と研磨パッドを使った化学・機械的研磨で、ナノメートル精度の大
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