FEOL（Front-End of Line：前半プロセス）とBEOL（Back-End of Line：後半プロセス）は、ウェハファブ（前工程）内での半導体製造プロセスを分割する重要な概念です。FEOLはウェハへのトランジスタ形成（素子形成）までの工程を指し、BEOLはトランジスタ間を電気的に接続する多層配線（メタライゼーション）の形成工程を指します。両工程の間には、コンタクト孔形成などの中間プロセス（MOL：Middle of Line）が位置します。
FEOLの主要工程は、素子分離（STI：Shallow Trench Isolation）→ウェル形成（イオン注入）→ゲート絶縁膜形成（熱酸化・High-k成膜）→ゲート電極形成（メタルゲート置換：RMG）→ソース/ドレイン形成（イオン注入・アニール）→シリサイド形成です。先端ノードではFinFET・GAA（Gate-All-Around）トランジスタの微細加工が主要課題となります。
BEOLはコンタクト孔形成（タングステンプラグ）から始まり、銅ダマシン配線による多層メタル配線（M1〜M12以上）を形成する工程です。層間絶縁膜（ILD：Inter-Layer Dielectric）にはLow-k誘電体（比誘電率k<3.9）が使われ、配線間容量を低減します。各配線層の形成にはLow-k CVD成膜→フォトリソグラフィ→ドライエッチング→バリアメタルPVD→電解銅めっき→CMPという一連のダマシンプロセスを繰り返します。
FEOL・BEOL・MOLはそれぞれ異なる装置セットを必要とします。FEOLではイオン注入装置（Applied Materials・Axcelis）・熱処理炉・ALD/CVD成膜装置が主役です。MOLではコンタクトホールエッチング（Lam Research）・CVD（タングステン充填）・CMP装置が活躍します。BEOLでは銅ダマシン向けPVD/電解めっき（Applied Materials・Lam Research）・Low-k CVD（東京エレクトロン）・BEOLエッチング装置が主な装置です。
先端ノード（2nm以降）ではBEOLの微細化がFEOLと並ぶ主要ボトルネックになっています。配線ピッチの縮小（M0〜M1層で<20nm）に伴い、銅の抵抗率増大（表面散乱・粒界散乱）が問題となり、ルテニウム（Ru）・モリブデン（Mo）など代替配線材料の採用が進んでいます。さらに、裏面電源供給ネットワーク（BSPDN）などの三次元配線技術もFEOL/BEOL境界を再定義しつつあります。