鐵電氧化鉿（Ferroelectric Hafnium Oxide）是在氧化鉿（HfO₂）中摻雜氧化鋯（ZrO₂）等而產生鐵電性的薄膜材料，一般稱為HZO（Hafnium Zirconium Oxide）。自2011年德國Bosch公司與Fraunhofer研究所發現HfO₂基薄膜具有鐵電性以來，應用於次世代非揮發性記憶體與邏輯元件的研究持續加速。
鐵電材料是在未施加電場的情況下也能保持自發極化的材料，利用其極化反轉作為「0」「1」資訊的鐵電記憶體（FeRAM：Ferroelectric RAM）早已存在。然而傳統FeRAM使用PZT（鋯鈦酸鉛）等材料，有與CMOS製程不相容、含鉛的環境問題、難以薄膜化等課題。HZO完全相容於CMOS、無鉛，且可薄膜化至10nm以下，是革命性的材料。
使用HZO的元件中，FeFET（鐵電閘極FET）與FTJ（鐵電穿隧接面）是主要應用。FeFET在閘極介電層中導入HZO，以極化狀態改變電晶體的臨界電壓來保存資料。由於具備高速、低功耗、可直接整合於矽製程等特點，作為嵌入式記憶體（eNVM）與類神經形態元件（類比突觸元件）而受到矚目。
HZO的鐵電性是在特定結晶相（正交晶相）出現時產生，而此相的穩定性是一大課題。退火條件、摻雜濃度（Hf:Zr比）、薄膜厚度與底層材料都會大幅改變鐵電特性，因此難以確保製造再現性。此外，提升抹寫耐久度（循環次數）也是邁向商業應用的重要課題。英特爾也在研究將HZO應用於3D NAND的字元線絕緣膜。
HZO也可作為高介電常數閘極絕緣膜（High-k材料），因此正以取代標準HfO₂、或加入額外摻雜物的形式，逐步應用於先進邏輯製程的閘極堆疊材料。鐵電記憶體元件市場預期將朝2030年代成長，為支援HZO成膜的ALD設備、鐵電性評估設備（PFM：壓電響應力顯微鏡），以及材料廠商（默克、Entegris等）帶來商機。