線邊緣粗糙度（LER：Line Edge Roughness）是指經曝光、顯影形成的圖形邊緣（edge），偏離理想直線、在奈米等級呈鋸齒狀起伏的程度。線寬本身的起伏則稱為LWR（Line Width Roughness）。微縮越進展，這種起伏相對而言就越無法忽視。
LER的主要成因包括光阻中分子與聚合物的尺寸、酸擴散的變異，以及在EUV曝光中特別明顯的光子散粒雜訊（統計性變異，隨機效應）。曝光所用的光子數越少，到達位置的變異就越容易以邊緣粗糙的形式顯現。
LER過大會導致電晶體臨界電壓變異、漏電流增加及導線電阻變異，使效能與良率惡化。因此，以CD-SEM等進行定量評估，並將其控制在容許範圍內的管理相當重要。
對策包括改良光阻材料、平滑化處理、最佳化曝光條件等。搭配隨機效應、EUV光阻、光阻、CD-SEM、EPE等條目一起閱讀，即可系統性理解微細圖形形成的變異課題。材料由JSR、東京應化（TOK）、信越化學等廠商開發。