EUV光阻（EUV Resist）是在使用EUV（極紫外光）曝光機的半導體微影製程中，對波長13.5nm的EUV光感光而產生化學變化的光阻材料。將經EUV光曝光的部分（正型光阻為可溶化、負型光阻為不溶化）進行顯影，即可在晶圓上形成奈米尺度的電路圖案。
EUV光阻與傳統ArF光阻（對應193nm）相比有更高的要求：（1）高感度（Sensitivity）：EUV光的光子能量高（92eV），但光子數量有限，因此需要以少量光量就能充分反應的高感度材料。（2）高解析度（Resolution）：能形成10nm以下微細圖案的材料設計。（3）低粗糙度（LWR/LER）：將圖案邊緣的凹凸降到最低。（4）高抗蝕刻性：顯影後的圖案必須能承受蝕刻製程。
高感度、高解析度與低粗糙度這3項要素彼此互相牽制，稱為「RLS（Resolution-LWR-Sensitivity）權衡」，是EUV光阻開發最大的技術課題。化學增幅型光阻（CAR：Chemically Amplified Resist）雖然感度高，但光子統計擾動（散粒雜訊）造成的局部曝光量變異會使粗糙度增加。
作為次世代EUV光阻，金屬氧化物光阻（MOX：Metal-Oxide Resist）或含金屬光阻（MCR：Metal-Containing Resist）備受矚目。含鉿（Hf）、錫（Sn）、鈦（Ti）等金屬氧化物的材料，對EUV光的吸收率高於CAR，有機會同時提升感度與解析度。Inpria（BASF旗下）、Irresistible Materials（IM）等公司正在開發，預期將在台積電（TSMC）N2節點之後採用。
EUV光阻的主要供應商有JSR（日本：全球市占率最大）、東京應化（TOK）、信越化學（信越化學EUV光阻）、杜邦（DuPont，EKC Technology）、住友化學等。EUV光阻市場屬於量少、高附加價值的特殊材料領域，各家廠商以極高的技術能力相互競爭。