光罩（Photomask）是在半導體製造的微影步驟中，作為將 IC 電路圖形以光學方式轉移到晶圓上光阻之「原版」的基板。一般是在石英玻璃或氟化鈣（CaF₂）的透明基板上，以鉻（Cr）等遮光膜畫出電路圖形，其精度直接決定最終晶片的圖形精度。
光罩的種類有：用於1:1轉移的接觸式光罩（舊技術）、以縮小投影為前提、以4倍～5倍尺寸繪製的倍縮光罩（Reticle），以及用於 EUV 曝光的反射式 EUV 光罩（吸收層使用 TaBN，反射多層膜使用 Mo/Si）。現代半導體製造以4倍縮小倍縮光罩為主流，由曝光機的透鏡縮小為1/4後轉移到晶圓上。
光罩的製作流程是以 EB（電子束）寫入設備在玻璃基板上的鉻膜寫入電路圖形，再經過顯影、蝕刻、檢測、修補（缺陷修補）後完成。線寬精度以 Apc（Advanced Pattern Control）管理，要求1nm 以下 CDU（Critical Dimension Uniformity）的先進光罩，寫入需要數小時～數十小時。
光罩缺陷直接導致轉移後晶片圖形的缺陷，因此光罩檢測、光罩保護膜（防塵膜）安裝與清洗不可或缺。EUV 用光罩有光罩保護膜穿透率的問題（EUV 光的吸收），EUV 光罩保護膜的材料開發（polysilicon 薄膜或 CNT 材料）已成為業界的重要課題。
光罩一般由晶片廠商設計，委託光罩專業廠商（Photronics、大日本印刷（DNP）、凸版（Toppan）、HOYA）製造。1片先進光罩（EUV 倍縮光罩）的製造成本可達數百萬～1000萬日圓以上，先進邏輯製造1顆晶片所使用的光罩片數超過100片。