光阻是什麼
光阻是微影製程使用的感光材料。塗在晶圓上經過曝光與顯影後形成圖形，作為後續蝕刻或離子佈植的遮罩。
名稱
- 台灣
- 光阻
- 中國大陸
- 光刻胶
- 英文
- Photoresist
光阻是什麼
光阻是對特定波長的光有反應的樹脂材料。光照到的部分化學性質會改變，在顯影液中變得容易或難以溶解，於是光罩上的圖形就轉印到光阻上。
依反應方式分為正型與負型：正型光阻的曝光部分會被顯影液溶掉，負型則相反，曝光部分留下。先進製程以正型為主。
依光源分類
光阻要配合曝光光源的波長設計，主要有 i-line（365 奈米）、KrF（248 奈米）、ArF（193 奈米，含浸潤式）與 EUV（13.5 奈米）用光阻。
KrF 以後的光阻多為化學增幅型：曝光時產生少量的酸，在曝光後烘烤（PEB）中催化反應，以提高感光度。EUV 世代也在開發含金屬的光阻，以兼顧解析度、感光度與線邊緣粗糙度。
微影流程中的光阻
一般流程是：塗佈光阻、軟烤、曝光、曝光後烘烤、顯影，再進行蝕刻或離子佈植，最後去除光阻。塗佈、烘烤與顯影都由與曝光機連線的塗佈顯影機完成。日本廠商在先進光阻材料的供應上占有重要地位。
相關設備・材料
相關企業
- 信越化學（Shin-Etsu）（矽晶圓・光阻・半導體材料）
- 東京威力科創（TEL）（半導體製造設備（塗佈顯影・蝕刻・薄膜沉積））
最後更新：2026-10-06