曝光機（Lithography Equipment）是在半導體製造中，執行以光（或電子束）將光罩上繪製的電路圖案轉印到晶圓上光阻之製程的設備。它負責將半導體的「設計」轉換為「實體圖案」，是最重要的設備，其解析度（可轉印的最小圖案尺寸）決定了製造節點的上限。
主要的曝光方式依所使用的光源分類。DUV（深紫外光）曝光機以 ArF 準分子雷射（波長 193nm）為光源，搭配浸潤式（ArFi）與多重圖案化（SADP/SAQP），支援到 7～5nm 節點的量產。EUV（極紫外光）曝光機僅有艾司摩爾生產，使用波長 13.5nm 的極短波長光，是 3nm 以後先進邏輯量產不可或缺的設備。
曝光機的基本構成包括光源（雷射）、照明光學系統（光源整形）、光罩載台（保持並掃描光罩）、投影光學系統（縮小透鏡；EUV 則為反射鏡）、晶圓載台（以 nm 以下精度移動）。曝光解析度以 R = k₁×λ/NA 表示（λ：波長，NA：數值孔徑），加大 NA、降低 k₁ 係數（OPC、SMO 等 RET 技術）是提升解析度的手段。
艾司摩爾是 EUV 曝光機唯一的量產供應商，每 1 台約 1億～1.5億歐元（約 150～200億日圓）的高價，加上設備的複雜度與龐大體積，使其成為半導體產業最具代表性的設備。High-NA EUV（數值孔徑 0.55，支援 2nm 以下解析度）已於 2024～2025年開始投入量產，將應用於 2nm 以下節點。
主要廠商為艾司摩爾（EUV：獨占，DUV：壓倒性市占）、尼康（DUV：ArFi 及 i-line 步進機）、佳能（DUV i-line・KrF・奈米壓印）。曝光機是半導體製造設備中單價最高的設備，艾司摩爾每賣出一台 EUV 設備就能認列數百億日圓的營收。