光罩誤差增強因子（MEEF：Mask Error Enhancement Factor）是表示光罩上的圖案尺寸誤差，在晶圓上的轉印圖案中被放大多少倍的指標。定義為 MEEF＝（晶圓 CD 的變化量）÷（光罩 CD 的變化量×縮小倍率），理想的微影中 MEEF＝1，但實際上會因光學繞射與光阻的非線性響應而超過 1。
MEEF 重要的理由在於，在微影解析極限附近光學系統的非線性增加，光罩上微小的尺寸誤差會在晶圓上被放大。例如 MEEF＝3 時，光罩上 1nm 的 CD 誤差在晶圓上（考慮 4× 縮小倍率）會成為 0.75nm 的誤差。在先進節點中，圖案容許誤差已接近這個量，因此 MEEF 的管理直接關係到良率。
MEEF 依圖形類型（線條、接觸窗、輔助圖形）、照明條件（NA、σ、照明形狀）、光罩材料（鉻、MoSi）、對焦條件而異。特別是孤立圖案與輔助圖形的 MEEF 有偏高的傾向，需要在 OPC 設計・SMO 中考慮 MEEF 進行圖案修正。
從光罩製造的角度來看，MEEF 越高的圖案，對光罩 CD 精度的要求越嚴格。EUV 曝光機的縮小倍率雖然是 4×（與 DUV 相同），但因光子數少，在隨機效應（stochastic effects）的影響下，有時 MEEF 會實質上升高。進行光罩修補（mask repair）時，也需要考慮 MEEF 來計算修補量。
MEEF 的量測結合晶圓上的 CD-SEM 量測與光罩量測（光罩 CD-SEM、ACROS 等）進行。以科磊、蔡司（光罩檢測・量測設備）、艾司摩爾（微影模擬器）提供的工具，可進行 MEEF 的預測與量測。選擇使 MEEF 最小化的製程條件（NA・同調性・對焦）也是 RMS（配方管理）的重要項目。