垂直布里奇曼法（VB法：Vertical Bridgman Method）是讓坩堝中原料熔化而成的熔液，在具溫度梯度的爐中緩慢移動，從置於坩堝底部的晶種一側依序凝固以成長單晶的晶體成長方法。它是將美國物理學家布里奇曼（Bridgman）所發明的方法，改以坩堝直立（垂直）的方式進行。不移動爐體，而是隨時間改變加熱器溫度分布、從底部開始凝固的方法，稱為垂直梯度凝固法（VGF法），與VB法同樣被廣泛使用。
VB法與VGF法主要用於製造GaAs（砷化鎵）、InP（磷化銦）等化合物半導體的單晶基板。矽所採用的主流柴可拉斯基法（CZ法），是從熔液中拉出晶體，因此拉出的晶體內部會產生很大的溫差。化合物半導體晶體比矽更容易破裂，也容易因熱應力產生差排（晶體缺陷），因此能在維持小溫度梯度下、於坩堝中靜靜凝固的VB法與VGF法，可得到差排密度較低的晶體。對於砷、磷等容易蒸發的成分，會以氧化硼（B₂O₃）液體覆蓋熔液表面等方式防止其逸散。
以VB法與VGF法製作的GaAs基板，用於智慧型手機的高頻元件、LED、半導體雷射、VCSEL等；InP基板則用於光通訊用雷射、光接收元件與高速電子元件。另一方面，由於晶體是在接觸坩堝壁的狀態下凝固，需要設法防止從管壁產生缺陷，以及坩堝與晶體的反應與附著，成長也需要很長時間。晶體口徑越大，溫度的均勻控制就越困難。