濕式蝕刻（Wet Etching）是將晶圓浸入液態藥液（蝕刻液，etchant）或對晶圓噴灑藥液，選擇性溶解、去除晶圓表面特定材料的製程。它是半導體製造中最傳統的蝕刻方法，至今仍廣泛用於清洗、自然氧化膜去除、選擇性蝕刻、整體去除等。
代表性的藥液與用途如下：HF（氫氟酸）用於矽氧化膜（SiO₂）的選擇性蝕刻與自然氧化膜去除（不侵蝕矽，選擇比高）。H₃PO₄（磷酸）用於氮化矽（SiN）的蝕刻。KOH（氫氧化鉀）用於矽的非等向性蝕刻，在 MEMS 製造中可用來露出特定晶面。SC-1/SC-2 清洗液則用於去除有機物與金屬污染。
濕式蝕刻的基本特性是等向性（不論方向均勻進行蝕刻）。因此，容易在圖形端部的矽基板下方產生蝕刻延伸的「底切（undercut）」，不適合形成微細圖形。現代微細加工以乾式蝕刻（非等向性蝕刻）為主力，但濕式蝕刻在乾式難以達成的高選擇比一次性去除，以及3D NAND 製造中的 SiGe 犧牲層去除等方面不可或缺。
單片式清洗設備（Single Wafer Cleaner）以旋轉噴灑方式，一邊對晶圓噴灑藥液一邊旋轉，實現均勻的濕式蝕刻與清洗。與超純水（UPW）沖洗及乾燥（IPA 蒸氣置換、Rotagoni 乾燥等）的搭配，是提升精度的重點。
主要設備廠商為 SCREEN 控股（單片清洗全球第一）、東京威力科創（TEL）、SEMES 等。在先進節點中，藥液濃度、溫度、流量與處理時間的精密控制直接關係到良率，因此對設備精度的要求逐年提高。