應變矽（Strained Silicon）是對電晶體通道區施加機械應變（應力）以提高載子遷移率，進而提升驅動電流與運作速度的技術。在僅靠微縮已難以提升性能的90nm世代前後正式導入，成為此後高性能CMOS不可或缺的「遷移率增強技術（mobility booster）」。
應變種類依極性分別使用。對nMOS（電子傳導）施加拉伸通道的拉伸應變、對pMOS（電洞傳導）施加壓縮的壓縮應變，即可提高遷移率。代表性手法包括在pMOS的源極與汲極嵌入SiGe以施加壓縮應變的eSiGe（embedded SiGe），以及利用應力襯墊膜（氮化膜）施加應變。
應變矽作為即使閘極長度微縮遇到瓶頸也能提升性能的手段，各公司以雙應力襯墊（dual stress liner）或eSiGe等形式採用。它與短通道效應及載子遷移率（carrier-mobility）密切相關，從物理層面提升電晶體性能。
在FinFET與GAA（閘極全環／奈米片）世代，對鰭片或奈米片導入應變以提高遷移率的做法也持續使用。英特爾（Intel）、台積電（TSMC）等將其導入製程，應用材料（Applied Materials）等廠商的設備負責SiGe磊晶與應力膜沉積。搭配finfet及mobility相關條目一起理解，效果會更清楚。