溝槽式 MOSFET 是指不把閘極平放在基板表面，而是形成於垂直挖出的溝槽（trench）內壁的功率 MOSFET。由於通道相對於基板沿垂直方向立起，在相同面積內能塞入更多單元。
在傳統的平面型中，電流會通過相鄰本體區之間的狹窄路徑，在該處產生電阻增加的「JFET 電阻」。溝槽結構消除了這條路徑，再加上通道密度提高，能大幅降低導通電阻。這就是溝槽型成為低耐壓功率 MOSFET 主流的原因。
課題是閘極－汲極間電容（Cgd，回授電容）容易增加。溝槽底部與汲極側相對而產生電容，影響切換速度與閘極驅動損耗。對策包括將溝槽底部做成厚氧化層的結構，以及在閘極下方設置遮蔽電極的遮蔽閘極（shielded gate）結構。
SiC 也採用溝槽結構，但由於 SiC 的崩潰電場較高，溝槽底部的閘極氧化層會承受強電場，使長期可靠度的確保更加困難。因此需要設置緩和底部電場的保護區等，在結構上比 Si 要求更精細的設計。